可低温烧结的温度稳定型微波介电陶瓷Li₅Cu₈Ga₅Ge₉O₃₆

摘要

本发明公开了一种可低温烧结的低损耗温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Li₅Cu₈Ga₅Ge₉O₃₆的应用及其制备方法。(1)将纯度为99.9％(重量百分比)以上的Li₂CO₃、CuO、Ga₂O₃和GeO₂的原始粉末按Li₅Cu₈Ga₅Ge₉O₃₆的组成称量配料；(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时，球磨介质为蒸馏水，烘干后在800℃大气气氛中预烧6小时；(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后，再压制成型，最后在850～900℃大气气氛中烧结4小时；所述的粘结剂采用质量浓度为5％的聚乙烯醇溶液，聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3％。本发明制备的陶瓷在900℃以下烧结良好，介电常数达到6.7～7.4，其品质因数Qf值高达73000‑95000GHz，谐振频率温度系数小，在工业上有着极大的应用价值。

主权项

一种可低温烧结的温度稳定型微波介电陶瓷，其特征在于所述微波介电陶瓷的化学组成为：Li₅Cu₈Ga₅Ge₉O₃₆；所述微波介电陶瓷的制备方法具体步骤为：(1)将纯度为99.9％(重量百分比)以上的Li₂CO₃、CuO、Ga₂O₃和GeO₂的原始粉末按Li₅Cu₈Ga₅Ge₉O₃₆的组成称量配料；(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时，球磨介质为蒸馏水，烘干后在800℃大气气氛中预烧6小时；(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后，再压制成型，最后在850～900℃大气气氛中烧结4小时；所述的粘结剂采用质量浓度为5％的聚乙烯醇溶液，聚乙烯醇添加量占粉末总质量的3％。