| 主权项 |
1﹒一种以光学纪录资料之装置,其组成部份包括一基质片在其至少一面具有一可消除之纪录层,此纪录层因曝露于依所要录写之资料而调变之雷射光之结果而有局部熔化及隙孔之形成,此种装置之特点为在其离基质远之表面上,该可消除绝录层具有一第二可消除纪录层,此第二纪录层之表面能量高于第一纪录层,其中于装置操作时,两纪录层均在曝露于雷射光之位置熔化并形成液体区,以及进而因液体区中之各纪录层之混合结果,而在其周围边缘处发生表面能量中之一项跃进,因而使熔化之纪录材资拉向周围边缘,使第二纪录层之固体表面注润,而形成一隙孔。2﹒根据上述请求专利部份第1项所述之装置,其特点为在此可消除纪录层之侧面上,其基质具有一无法消除纪录层,此无法消除纪录层之表面能量乃﹒系低于基质者。3﹒根据上述请求专利部份第1或2项所述之装置,其特点为采用一在一面具有纪录层之透明基质,并在此等纪录层之一边设有一可光学读示之伺伏轨迹,此种伺伏轨迹至少具有部份为起伏结构之伺服区域交错位于一较高及一较低之阶度。4﹒根据上述请求专利部份第1项所述之装置,其特点为该第二纪录层之表面能量至少高于第一纪录层者,第二纪录层之厚度为一至二0nm,而第一纪录层之厚度则系自一0至一00nm者。5﹒根据上述请求专利部份第1项所述之装置,其特点为第一及第二纪录层两者均一种金属,金属合金或一种Chalogenlde玻璃。6﹒根据上述请求专利部份第1项所述之装置,其特点为该同一共用金属系出现在第一及第二纪录层中,其中第一及(或)第二纪录层进而含有额外成分,以使第二可消除纪录层之表面能量高于第一可消除纪录层者。7﹒根据上述请求专利部份第6项所述之装置,其特点为共用金属为碲者。8﹒根据上述请求专利部份第7﹒项所述之装置,其特点为第一纪录层除碲外亦含有硫及(或)哂,而第二纪录层除碲外亦含有哂及(或)铋,其中如两纪录层除硫外只含有哂,则第一纪录层中之哂重量浓度乃系高于第二纪录层中者。9﹒根据上述请求专利部份第8项所述之装置,其特点为第一及(或)第二纪录层亦系含有锑者。10﹒根据上述请求专利部份第9项所述之装置,其特点为第一可消除纪录层系由公式TepSbqSer5s之一种化合物组成,式中p之値为二0至七0,P之値为一0至五0,之値为三至一五,以及p+q+r+s=100且第二可消除纪录层系由公式TexSby─Sez之一种化合物组成,式中x之値为二0至九七,y之値为0至五0,z之数値为二至五0,以及x+y+z=100者。11﹒根据上述请求专利部份第1项所述之装置,其特点此种装置由两个透明基质片组成,比两基质片各在一面上设有一第一及第二可消除纪录层,其中第二可消除纪录层之表面能量高于第一纪录层,而且其中每一基质片之纪录层均相互面对以及连接一起并有一环状隔片插在中间。 |
