发明名称 物料离质探测方法与装置
摘要
申请公布号 TW041336 申请公布日期 1982.01.16
申请号 TW07011734 申请日期 1981.06.12
申请人 滨松系统公司 发明人 白礼华;阿尔曼;格林;伟大 等五人
分类号 G01N21/88 主分类号 G01N21/88
代理机构 代理人 董重 台北巿忠孝东路四段二一六巷十六号三之三室
主权项 1﹒一种为在一种物料上面探测污染颗粒的方法,该法包括下列步骤:(a)提供一种几乎没有反射光线的内部环境以供实行探测;(b)将一种准直的平行光束由一个光源导向上述物料某一个平面上的一个选定部位,因此上述颗粒会造成散射光线,其强度与此等颗粒的尺寸成正比;(c)调整该表面的位置而使准直的光线在几乎没有任何反射或散射的情况下大体全部回射到光源;(d)将一个感光电视摄影机聚焦于该物料的表面上以探测该等颗粒的散射光线表示物(indicative);以及(e)处理该摄影机由此种散射光线所得的信号而对上述各颗粒做测量,计数以及定位。2﹒如专利请求1项的方法,其中上述摄影机是属于矽加强靶型式。3﹒如专利请求1项的方法,其中上述准直平行光束以某种角度而被导向上述物料的表面,叉上述摄影机以高达17的交角指向该表面。4﹒如专利请求1项的方法,其中由上述摄影机探测到的上述污染颗粒之尺寸为0﹒3微米以上。5﹒如专利请求1项的方法,其中在作业实行前,上述各颗粒的尺寸得藉一个显微镜观看并测量而比较一个颗粒的散射光线之强度与其实际的物理尺寸以实行校准。6﹒如专利请求1项的方法,其中上述物料是半导体wafer薄片。7﹒如专利请求1项的方法,其中光源的波长由3500到8500埃。8﹒如专利请求1项的方法,其中上述光源是一种氙或汞一氙弧光,该光源藉着一个透镜而聚焦于一个针孔,然后由一个准直凹镜予以准直。9﹒如专利请求6﹒项的方法,其中上述wafer薄片会移动,因此该wafer薄片的表面会接续地被照射于一些选定的部份上,一直到所焉要的表面部位全部被检查过为止。10﹒一种用以探测在一个物料上面各污染颗粒的系统,其中包括:(a)一个有内部壁面的外壳,此等壁面大体是属于不反射光线的物料,并且大体被封密而能够排除外来的光线;(b)一个具有宽波长光谱的光源;(c)一个用以准直上述光线并且将该准直平行光线导向上述物料的光学系统; (d)一种将要接受检查的物料以可活动的方式特定住之设置,因而该物料得置放于暴露于上述准直平行光束的照射中,该准直光束设于该物料上然后会朝上述光源反射回去而不会有任何光线朝上述摄影机反射各颗粒则使光线造成散射现象,又其中上述光学系统能阻止上述反射光线朝摄影机反射或散射而干扰要导向上述物料的准直光束;以及(e)设有一个感光摄影机为观看上述物料,因而该摄影机可以探测表示污染颗粒情况的散射光线。11﹒如专利请求10﹒项的系统,其中上述外壳包括一些为摄影机,光源反持定物料之设置而设的不同部份;其中又有一个空气层流装置为使接受检查的物料大体不会沾染灰尘。12﹒如专利请求10项的系统,其中上述光学系统包括一个透镜为将来自光源的光线聚焦于一个针孔装置,为形成一个小光源,并且为使该小光源中没有外来光线,又有一个源直镜子为准直来自最切光源的光源并且将此准直平行光束导向上述物料的表面;又有一种设置为限定上述准直平行光束要照射在物料上的范围。13﹒如专利请求10项的系统,其中的光源是一种氙弧光,其波长为3500-8600埃。14﹒如专利请求10﹒项的系统,其中上述电视摄影机是一种矽加强靶型式。15﹒如专利请求10项的系统,其中上述电视摄影机是一种两级加强槽板型式。
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