| 发明名称 |
PROCEDE DE FABRICATION DE CIRCUITS INTEGRES |
| 摘要 |
<P>PROCEDE POUR REDUIRE L'OXYDATION DE CHAMP LATERALE AU VOISINAGE DES REGIONS ACTIVES D'UN CIRCUIT INTEGRE.</P><P>ON FORME SUR LE SUBSTRAT 11 EN SILICIUM UNE MINCE COUCHE DE DIOXYDE DE SILICIUM QUE L'ON RECOUVRE D'UNE EPAISSE COUCHE 16 DE NITRURE DE SILICIUM QUE L'ON GRAVE ENSUITE POUR NE LAISSER SUBSTITUER QU'UNE PARTIE RECOUVRANT LES REGIONS ACTIVES. ON IMPLANTE ENSUITE DES IONS D'ETAIN, DE PHOSPHORE OU D'ANTIMOINE A UNE PROFONDEUR ET A UNE DOSE APPROPRIEES POUR PROVOQUER UN ACCROISSEMENT IMPORTANT DE LA VITESSE D'OXYDATION DU SILICIUM DANS LES REGIONS IMPLANTEES ET ON SOUMET ENSUITE LE SUBSTRAT A UNE ATMOSPHERE OXYDANTE POUR CONVERTIR CES REGIONS IMPLANTEES EN OXYDE DE CHAMP.</P><P>APPLICATION A LA FABRICATION DES CIRCUITS INTEGRES.</P>
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| 申请公布号 |
FR2490402(A1) |
申请公布日期 |
1982.03.19 |
| 申请号 |
FR19810017375 |
申请日期 |
1981.09.15 |
| 申请人 |
GENERAL ELECTRIC CY |
发明人 |
DALE MARIUS BROWN, MARIO GHEZZO ET KAN-LUNG WANG;GHEZZO MARIO;WANG KAN-LUNG |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/265;H01L21/316;H01L21/76;H01L21/762;(IPC1-7):H01L21/72;H01L27/04 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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