| 主权项 |
1.一种积体电路超载保护装置含有:(a)一第一导电型之半导体基质;(b)一第二导电型半导体材料层覆盖于基质上;(C)一第一导电型之第一高度掺 区,延伸穿过该层而至基质,并完全环绕该层之一部份,因而该层之该部份与该层之其余部份相隔离。(d)第一导电型之一井区,自其表而部份延伸进入该层之隔离部份;(e)第二导电型之第二高度 区,由其表面延伸进入该层之隔离部份,且由该层之部份与井区隔开;(f)第二导电型之第三高度掺 区,自其表面延伸进入井区,并由井区之部份围绕;(g)第一导电型之第四高度掺 区,自井区之表面延伸穿过井区与该层之交叉处,并较井区经更高度之掺,当自该表面观之,第三高度掺区位于第二高度掺 区及第四高度掺 区之间;及(h)第二导电型之第五高度掺 区,延伸于该层之隔离部份与基质之间,该第五高度掺 区系在至少第二及第三高度掺 区之下方,但不在第四高度掺 区之下方。2.根据上述请求专利部份第l.项之积体电路超载保护装置,其中,半导体基质为P型导电性,及第五高度掺 区并不延伸至第四高度掺 区之下方,因而,第二高度掺 区含有一NPN电晶体之集体,第三高度掺集区含有NPN电晶体之射极井区含有NPN电晶体之基极,及第四度掺 区含有接至NPN电晶体之基极之接触点。3.根据上述请求专利部份第2.项之积极电路超载保护装置,其中,井区另含有一狭窄部份,当自该表面顶上观之,该部份系位于第三高度掺 区及第四高度掺 区之间。4.根据上述请求专利部份第3.项之积体电路超载保体装置,其中,第五高度掺 区延伸于第二及第三高度掺 区之下方,且仅部份延伸于井区之狭窄部份下方。5.一种积体电路超载保护装置含有(a)一第一导电型半导体基质;(b)一第二导电型半导体材料层,覆盖于该基质上;(c)第一导电型之第一高度掺 区,延伸穿过该层而至该基质,并完全包围该层之一部份,因而使该层之部份与该层之其余部份相隔离;(d)第一导电型之一井区,自其表面处部份延伸进入该层隔离之部份中;(e)第二导电型之第二高度掺 区,自其表面延伸进入隔离之部份,且由该层之部份与井区相隔开;(f)第二导电型之第三高度掺 区,自其表面处伸进入井区中,并由井区之部份围绕。(g)井区之一狭窄部份,当自井区之顶部表面观之,狭窄部份在井区离开第二高度掺 区之一边,该狭窄部份延伸离开井区中含有第三高度掺区之部份;及(h)第二导电型之第四高度掺 区,延伸该层之隔离部份与基质之间,第四高度掺 区至少位于第二及第三高度掺 之下方,但不完全在井区狭窄部份之下方。6.根据上述请求专利部份第5.项之积体电路超载保护装置,另含有第一导电型之第五高度掺 区,自井区之一表面延伸穿过井区与该层之交叉处,且较井区更高度掺 ,当自表面上观之,该第五高度掺 区由至少井区之狭窄部份之某些部份与第三高度掺 区相隔开。7.根据上述请求专利部份第6.项之积体电路超载保护装置,其中,第一导电型为P型。8.一种积体电路超载保护装置含有一类型之双极放大电晶体,由相反型之双极保护电晶体保护,其中,保护电晶体之射极连接至放大电晶体之基极,保护电晶体之基极则接至放大电晶体之集极,又保护电晶体之集极适于连接至一电源供应端,该端与一负荷元件所接之电源供应端相反,放大电晶体之集极,应连接成共射极放大构形。9.根据上述请求专利部份第8.项之积体电路超载保护装置,另含有一保护电阻器,串联于保护电晶体之射极与放大电晶体之基极间;及连接装置,用以连接输入信号至保护电晶体之射极。10.根据上述请求专利部份第9.项之积体电路超载保护装置,其中,放大电晶体为一NPN电晶体,及保护电晶体为一PNP电晶体。11.根据上述请求专利部份第10.项之积体电路超载保护装置,其中,PNP电晶体之集极接地。12.根据上述请求专利部份第10.项之积体电路超载保护装置,该装置制成为一单石积体电路。 |
