| 主权项 |
1.如下式晒吩化合物或其制药容许盐之 制法: 式中R1为可有卤素之胺基取代 唑 基,可有卤素之被保护胺基 取代 唑基,C1-6烷胺基 取代 唑基,胺基取代 二 唑基,被保护胺基取代 二 唑基,胺基取代 碇基,被 保护胺基取代 碇基, 喃 基, 挫基, 二唑基,苯 基或 基, R2为羧C1-6烷基或被保护羧 C1-6 ,烷基, R3为C1-6 烷硫基 R4 为羧基或被保护羧基, 此包括: (1)令如下式化合物或其在胺基之反应性 衍生物或其盐 式中R3及R4同上, 与如下式化合物或其在羧基之反应 性衍生物或其盐反应 式中R1及R2各同上, 而得如下式化合物或其盐 式中R1,R2,R3及R4各同 上,或 (2)令如下式化合物或其盐 式中R1,R3及R4各同上, 为被保护羧C1-6烷基,消去在 之羧基保护基,而得如下式化合物 或其盐, 式中R1,R3及R4各同上, 为羧C1-6,烷基,或 (3)令如下式化合物或其盐 式中R2,R3及R4各同上, 为可有卤素之被保护胺基 取代 唑基,被保护胺基 取代 二唑基或被保护胺 基取代 碇基, 消去 上之胺基保护基而得如下 式化合物或其盐 式中R2,R3及R4各同上, 为可有卤素之胺基取代 唑基,胺基取代 二唑基 或胺基取代 啶基,或 (4)如令下式化合物或其盐 式中R1,R2及R3各同上, 为被保护羧基, 消去 上之羧基保护基,而得如 下式化合物或其盐 式中R1,R2及R3各同上,或 (5)令如下式化合物或其盐 式中R1,R2,R3及R4各同 上, 还原而得如下式化合物或其盐 式中R1,R2,R3及R4各同 上,或 (6)令如下式化合物或其盐 式中R2,R3及R4各同上,X1 为卤素, 与如下式化合物反应 式中R5为胺基,被保护胺基或 C1-6烷胺基, 而得如下式化合物或其盐 式中R2,R3,R4及R5各同 上,或 (7)令如下式化合物或其盐 式中R1,R2及R3各同上, 酯化而得加下式化合物或其盐 式中R1,R2及R3各同上, R6为呈式-COOR6之酯化羧 基之酯部分。2.依请求专利部分第1.项之制法,式 中 R1为可有卤素之胺基取代 唑基, 可有卤素之醯胺基取代 唑基, C1-6烷胺基取代 唑基,胺基 取代 二唑基,醯胺基取代 二 唑基,胺基取代 啶基,醯胺基 取代 啶基, 喃基, 唑基, 二挫基,苯基或 基, R2为羧C1-6烷基或酯化羧C1-6 烷基, R4为羧基或酯化羧基。3.依请求专利部分第2.项之 制法,以制 造请求专利部分第2.项之化合物之同 式异构物。4.依请求专利部分第3.项之制法,式中 R1为2-胺 唑-4-基, R2为羧C1-6烷基,C1-6烷氧羰 C1-6烷基,或芳C1-6烷氧羰 C1-6烷基, R4 为羧基。5.依请求专利部分第4.项之制法,以制 造7-﹝2-(2-胺 唑-4-基 )-2-(羧甲氧亚胺基)乙醯胺基 ﹞-3甲硫基-3-晒吩-4-羧 酸(同式异构物)或其盐酸盐。6.依请求专利部分第 4.项之制法,以制 造7-﹝2-(2-胺 唑-4-基 )-2-(1-羧乙氧亚胺基)乙醯 胺基﹞-3-甲硫基-3-晒吩-4 -羧酸(同式异构物)。7.依请求专利部分第4.项之制 法,以制 造7-﹝2-(2-胺 唑-4-基 )-2-甲氧羰甲氧亚胺基乙醯胺基 ﹞-3-甲硫基-3-晒吩-4-羧 酸(同式异构物)。8.依请求专利部分第4.项之制法, 以制 造7-﹝2-(2-胺 唑-4-基 )-2-二苯甲氧羰甲氧亚胺乙醯胺 基﹞-3-甲硫基-3-晒吩-4- 羧酸或其钠盐(同式异构物)。9.依请求专利部分第 4.项之制法,以制 造7-﹝2-(2-胺 唑-4基 ) -2-羧甲氧亚胺乙醯胺基﹞-3 -乙硫基-3-晒吩-4-羧酸(同 式异构物)。10.依请求专利部分第4﹒项制法,以制 造7-﹝2-(2胺 唑-4-基 )-2-(1-羧乙氧亚胺基)乙醯 胺基﹞-3 -乙硫基-3 -哂吩-4 -羧酸(同式异构物)。11.依请求专利部分第4.项之 制法,以制 造7-﹝2-(2胺 唑-4-基 )-2-羧甲氧亚胺乙醯胺基﹞-3 -丙硫基-3-晒吩-4-羧酸(同 式异构物)。12.依请求专利部分第3.项之制法,式中 R1为2-胺基-5-卤 唑-4- 基, R2为羧C1-6烷基,C1-6 烷氧羰 C1-6 烷基或芳C1-6 烷氧羧 C1-6 烷基, R4 为羧基。13.依请求专利部分第12.项之制法,以制 造7-﹝2-(2-胺基-5-氯 唑-4-基)-2-(羧甲氧亚胺乙 醯胺基﹞-3-甲硫基-3-晒吩- 4-羧酸(同式异构物)。14.依请求专利部分第12.项之 制法,以制 造7-﹝2-(2-胺基-5-氯 唑-4-基)-2-羧甲氧亚胺乙醯 胺基﹞-3-乙硫基-3-晒吩-4 -羧酸(同式异构物)。15.依请求专利部分第3.项之 制法,式中 R1为5-胺基-1,2,4- 二 唑-3-基, R2为羧C1-6 烷基或C1-6 烷氧碳 C1-6烷基, R4为稄基。16.依请求专利部分第15.项之制法,以制 造7-﹝2-(5-胺基-1,2, 4- 二挫-3-基)-2-羧甲氧 亚胺乙醯胺基﹞-3-甲硫基-3- 晒吩-4-羧酸(同式异构物)。17.依请求专利部分第15 .项之制法,以制 造7-﹝2-(5-胺基-1,2, 4- 二唑-3-基)-2-羧甲氧 亚胺乙醯胺基﹞-3-乙硫基-3- 晒吩-4-羧酸(同式异构物)。18.依请求专利部分第15 .项之制法,以制 造7-﹝2-(5-胺基-1,2, 4- 二唑-3-基)-2-(1- 羧乙氧亚胺基)乙醯胺基﹞-3-乙 硫基-3-晒吩-4-羧酸(同式异 构物)。19.依请求专利部分第3.项之制法,式中 R1为6-胺 啶-2-基, R2为羧C1-6 烷基或C1-6 烷氧碳 C1-6 烷基, R4 为羧基。20.依请求专利部分第19.项之制法,以制 造7-﹝2-(6-胺 啶-2-基 )- 2-羧甲氧亚胺乙醯胺基﹞-3 -乙硫基-3-晒吩-4-羧酸(同 式异构物)。21.依请求专利部分第19.项之制法,以 制 造7-﹝2-(6-胺 啶-2-基 )-2-羧甲氧亚胺乙醯胺基﹞-3 -甲硫基-3-晒吩-4- 羧酸(同 式异构物)。22.依请求专利部分第3.项之制法,式中 R1为2-C1-6 烷胺 唑-4-基, 喃基, 唑基1,2,4- 二唑基,1,2,5- 二唑 基,苯基或 基, R2为羧C1-6 烷基或C1-6烷氧羰 C1-6 烷基, R4为羧基。23.依请求专利部分第3.项之制法,式中 R1为2-C1-6 烷醯胺 唑-4-基 , 2-C1-6烷醯胺基-5-卤 唑-4-基, 5-C1-6 烷醯胺基-1,2 , 4 - 二唑-3-基, 6-C1-6 烷醯胺 啶-2-基 , R2为羧C1-6烷基, C1-6 烷氧羰C1-6 烷基或芳 C1-6 烷氧羰C1-6 烷基, R4为羧基或芳C1-6 烷氧羰基。24.依请求专利部分第 3项之制法,式中 R2 为羧C1-6 烷基,C1-6 烷氧羰 C1-6烷基,芳C1-6 烷氧羰 C1-6烷基,C1-6 烷醯氧C1-6 烷氧羰C1-6 烷基,C1-6 烷氧 羰氧C1-6 烷氧羰C1-6 烷基, 或(5-C1-6 烷基-2-氧- 1,3-二 茂-4-基)C1-6 烷氧羰C1-6烷基, R4为芳C1-6 烷氧羰基,C1-6 烷 醯氧C1-6 烷氧羰基,C1-6 烷 氧羰氧C1-6 烷氧羰基,或(5 -C1-6 烷基-2-氧-1,3- 二 茂-4-基)C1-6 烷氧羰 基。25.依请求专利部分第24﹒项之制法,式中 R1为2-胺 唑-4-基,2-胺 基-5-卤 唑-4-基或5- 胺基-1,2,4- 二唑-3 -基, R2为羧C1-6 烷基,C1-6 烷醯氧 C1-6 烷氧羰C1-6 烷基,C1-6 烷氧羰氧C1-6 烷氧羰C1-6烷 基,或(5-C1-6 烷基-2-氧 -1,3-二 茂-4-基)- C1-6 烷氧羰C1-6 烷基, R4 为C1-6 烷醯氧C1-6 烷氧羰基 ,C1-6 烷氧羰氧C1-6 烷氧羰 基或5-C1-6 烷基-2-氧- 1,3-二 茂-4-基)C1-6 烷氧碳基。26.依请求专利部分第25.项之制法,以制 造7-﹝2-(2-胺 唑-4-基 )-2-羧甲氧亚胺乙醯胺基﹞-3 -甲硫基-3-晒吩-4-羰酸特戊 醯氧甲酯(同式异构物)或其盐酸盐 。27.依请求专利部分第25.项之制法,以制 造7-﹝2-(2-胺 唑-4-基 )-2-羧甲氧亚胺乙醯胺基﹞-3 -甲硫基-3-晒吩-4-羧酸l- 丙醯氧乙酯(同式异构物)或其盐酸 盐。28.依请求专利部分第25.项之制法,以制 造7-﹝2-(2-胺 唑-4-基 )-2-羧甲氧亚胺乙醯胺基﹞-3 -甲硫基-3-晒吩-4-羧酸l- 乙氧羰氧乙酯(同式异构物)或其盐 酸盐。29.依请求专利部分第25.项之制法,以制 造7-﹝2-(2-胺 唑-4-基 )-2-羧甲氧亚胺乙醯胺基﹞-3 -甲硫基-3-晒吩-4-羧酸(5 -甲基-2 -氧-1,3-二 茂- 4-基)甲酯(同式异构物)或其盐 酸盐。30.依请求专利部分第25.项之制法,以制 造7-﹝2-(-2-胺基-5-氯 唑-4-基)-2-羧甲氧亚胺乙醯 胺基﹞-3-甲硫基-3-晒吩-4 -羧酸l-乙氧羰氧乙酯(同式异构 物)或其盐酸盐。31.依请求专利部分第25.项之制法 ,以制 造7-﹝2-(5-胺基-1,2, 4- 二唑-3-基)-2-(1- 丙醯氧乙氧羰甲氧亚胺基)乙醯胺基 ﹞-3-甲硫基-3-晒吩-4-羧 酸l-丙醯氧乙酯(同式异构物)或 其盐酸盐。32.如下式晒吩化合物或其盐之制法 式中X为-S-或-S-, R'为可有卤素之胺基取代 挫 基,可有卤素之被保护胺基 取代 唑基,C1-6 烷胺基 取代 挫基,胺基取代 二 唑基,被保护胺基取代 二 唑基,胺基取代 啶基,被 保护胺基取代 啶基, 喃 基, 唑基, 二唑基,苯 基或 基「, R2为羧C1-6 烷基或被保护羧 C1-6 烷基, R4为羧基或被保护羧基, R9为如下式基:-O-SO2-R7 (式中R7为C1-6 烷基, 或可有适当取代基之芳基) ,或C1-6烷硫基,但当R9 为C1-6烷硫基时, X为-S-。此包括: i)令如下式化合物或其在胺基之反 应性衍生物或其盐 式中R4及R7各同上。 与如下式化合物或其在羧基之反 应性衍生物或其盐反应 式中R1及R2各同上, 而得如下式化合物或其盐 式中R1,R2,R4及R7各同 上,或 ii)令如下式化合物或其盐氧化 式中R1,R2,R4及R7各同 上, 而得如下式化合物或其盐 式中R1,R2,R4及R7各同 上,或 iii)令如下式化合物或其盐 式中R1,R2,R4及R7各同 上, 与如下式化合物或其在氢硫基之反 应性衍生物反应 -SH 式中 为C1-6 烷基, 而得如下式化合物或其盐 式中R1,R2及R4 各同上,R3 为C1-6烷硫基。33.如下式晒吩化合物或其盐之制法 , 式中R2为羧C1-6烷基或被保护羧 C1-6烷基, R3为C1-6 烷硫基, R4为羧基或被保护羧基, X1 为卤素,此包括: i)令如下式化合物或其在羧基之反应 性衍生物或其盐 式中R2及X1 各同上 与如下式化合物或其在胺基之反应 性衍生物或其盐反应 式中R3及R4 而得如下式化合物或其盐 式中R2,R3,R4 及X1 各同上, 或 ii)令如下式化合物或其盐 式中R2,R3及X1 各同上, 为被保护羧基, 消去羧基保护基而得如下式化合物 或其盐 式中R1,R3及X1 各同上。34.如下式化合物或其盐之 制法 式中 为1,2,5- 二唑基或 基, R2为羧C1-6 烷基或被保护羧 C1-6烷基, R8为羧基或被保护羧基, 此包括令如下式化合物或其盐: -CO-R8 式中 及R8各同上, 与如下式化合物或其盐反应: H2N-O-R2 式中R2同上。 |
