| 主权项 |
1.用以制造下式之青霉素酸1,1-二 氧化物衍生物之一种方法 在其中X为Cl,Br,l或OSO2R1其 中之R'为C1-C6烷基或C6H4R2 而其中之R2为H,Cl,Br,I,NO2 CI-C3烷基或C1 -C3烷氧基,该方法 包括将下式之化合物 在其中X为对式(I)所规定,n为 零,l,或2;Y及Z每个为Cl,Br 或I,或者Y为H而Z系从Cl,Br, I,C≡N-(异氰基)及SCN-( 异硫氰酸根)内选出,或者Y为 SeC6 H4R2在其中R2为对式(I) 规定,及Z为C1或Br;用从以下 (a)及(b)内选出之还原剂还原; (a)氢化三方基锡,二氢化二(C1-C6 烷基)锡或氢化三(C1-C6 烷基) 锡,在其中"芳基"为苯基或为 C1 -C3 烷基,C1 -C3烷氧基,羟基 或硝基取代之苯基,及 (b)氢及贵金属触媒; 而当Y及Z每个为Cl,Br或l,或 Y为H及Z为Cl,Br或I时,该还 原剂为(a)或(b),及当Y为H及Z为 C≡N-或scn-,或Y为SEC6H4 R4,及Z为Cl或Br时,该还原 剂为(a)得以造成下式之化合物 在其中n及x为如对式(Ⅵ)所规定 , 随后,当n为零或l时,使化合物 (V)用从过锰酸钠,过锰酸钙,过 锰酸钾,存在有过渡金属触媒之过 氧化氢,过醋酸及间-氯过苯甲酸 内选出之一种氧化剂氧化得以产生 出化合物(I)者。2.一种用以制造下式之青霉素酸l, 1 -二氧化物衍生物之方法: 在其中x,Y及z为如对在第1.项中 之式(VD)所规定,该法包括将下式之 硫化物或亚 在其中m为零或l,及X,Y与Z为 如对第1.项中之式(Ⅵ)所规定,用从 过锰酸钾,过锰酸钠,过锰酸钙,存 在有过渡金属触媒之过氧化氢,过醋 酸及间-氯过苯甲酸内选出之一种氧 化剂氧化者。3.用以制造下式化合物之一种方法 在其中n为零,1或2,X为如第1. 项所规定;Y1为H及Z1为Ci≡N -或SCN-,或Y'为SeC6 H4 R2 及Z1为C1或Br,R2为H,Cl ,Br,l,NO2 ,C1-C3 烷基或C1-C3 烷氧基, 该法包括使下式之羧酸盐 存在有溶剂于O℃至60℃C温度与此 式XCH2X2之化合物接触,在其中M 为阳离子及X2为X或一个比X更佳 之脱离基者。4.用以制造下式青霉素酸l-氧化物衍 生物之一种方法 在其中X为Cl,Br,I或OSO2R1( 其中之R'为C1-C6 烷基)或C6 H4 R2 (其中之R2为H,Cl,Br,I,NO2 ,C1-C3 烷基或C1-C3 烷氧基);该 法包括将下式之化合物 在其中X为如对式(I)所规定,m为 零或l;Y及Z每个为Cl,Br或I, 或Y为H及Z为从Cl,Br,I,C三N- (异氰基及SCN-(异硫氰酸根)内 选出,或者 Y为SeC6H4R2其中R2为如对式 (I)所规定,及Z为Cl或Br;用从以 下(a)及(b)内选出之还原剂还原; (a) 氰化三方基锡,二氢化二(C1-C6 烷基)锡或氢化三(C1-C6烷基) 锡,其中"芳基"为苯基或为C1- C3烷基,C1-C3 烷氧基,羟基或 硝基取代之苯基,及 (b)氢及贵金属触媒 而当Y及Z每个为Cl,Br或I, 或Y为H及Z为Cl,Br或I时,该 还原剂为(a)或(b),及当Y为H及Z 为C三N-或SCN-,或Y为 seC6H4R2及Z为Cl或Br时 ,该还原剂为(a),得以造成下式之 化合物 随后,当m为零时,使化合物( VD)用-当量从过锰酸钠,过锰酸 钙,过锰酸钾,存在有过渡金属触 媒之过氧化氢,过醋酸及间-氯过 苯甲酸内选出之一种氧化剂氧化, 得以产生所要之青霉素酸l-氧化 物衍生物者。5.用以制造下式异硫氰酸根络化合 物之 一种方法 该方法包括使6-胺基青霉素酸1, l-二氧化物存在反应惰性溶剂于自 -lO℃至30℃之温度时与二硫化碳 及环已基碳化三亚胺接触者6.根据上述请求专利 部份第1.,2.或4. 项之方法,在其中X为C1,Br或I; Y及Z每个为Cl或Br,或Y为H 及Z为Cl,Br或CN-者。7.根据上述请求专利部份第1.项 或第3. 项之方法,在其中n为零或2者。8.根据上述请求专 利部份第1.或第4.项 之方法,在其中该还原剂为氢化三- 正-丁基锡,或氢与钯触媒者。9.根据上述请求专利 部份第1.项或第4﹒ 项之方法,在其中该氧化剂为过锰酸 钾或间-氯过苯甲酸者。 l0.根据上述请求专利部份第3.项之方法 ,在其中n为零或2,x为c1,Br或 I,M为Na,K或四丁基铵离子;Y1 为H及Zl为C三N-或SCN-者。 |
