| 发明名称 |
HIGH VOLTAGE PINCH-OFF CHANNEL MOS TRANSISTOR FORMED IN SINGLE LAYER MATERIAL |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPS5810869(A) |
申请公布日期 |
1983.01.21 |
| 申请号 |
JP19820112459 |
申请日期 |
1982.06.29 |
| 申请人 |
XEROX CORP |
发明人 |
URADEIMIIRU RUMENIKU;DEIBUITSUDO ERU HIIRUDO |
| 分类号 |
H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/8238 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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