发明名称 SILICONE SINGLE CRYSTAL GROWING APPARATUS AND SICLICONE SINGLE CRYSTAL GROWING METHOD USING THE APPARATUS
摘要 실시예는 챔버, 챔버 내에 배치되고 실리콘 용융액을 수용하는 도가니, 도가니의 외측에 배치되어 도가니를 가열하는 히터, 챔버 내에 배치되는 열차폐부 및 도가니의 상부에 배치되고 상하 이동이 가능한 보조 열차폐부를 포함하고, 보조 열차폐부는 실리콘 용융액에서 성장한 단결정의 몸체부 상에 이격되어 배치되고 단결정 몸체부에서의 무결함 영역이 증가되도록 상승 속도가 제어되는 실리콘 단결정 성장 장치 및 성장 방법을 제공 하며, 보조 열차폐부가 몸체부에서의 온도 구배의 편차를 줄이도록 하여 몸체부에서의 무결함 영역의 분포를 증가시킬 수 있다.
申请公布号 KR101680217(B1) 申请公布日期 2016.11.28
申请号 KR20150001950 申请日期 2015.01.07
申请人 주식회사 엘지실트론 发明人 김도연;최일수;안윤하
分类号 C30B15/20 主分类号 C30B15/20
代理机构 代理人
主权项
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