发明名称 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
摘要 통상의 회전날(24)보다도 두꺼운 회전날(21)을 사용하고, QFN 기판(1)이 갖는 리드 프레임(2)의 타이바에 있어서 전체 두께 중 소정의 두께 부분을 절삭하고 절삭구(22)를 형성한다. 다음에, 전기 도금 처리에 의해, 리드 프레임(2)의 바닥면과 절삭구(22)의 표면에 도금층(23)을 형성한다. 다음에, 통상의 두께를 갖는 회전날(24)을 사용하고, 절삭구(22)에 있어서 리드 프레임(2)의 나머지 두께 부분과 봉지 수지(8)의 전체 두께 부분을 일괄하여 절삭한다. QFN 기판(1)을 2 단계로 나누고, 타이바를 전부 제거하도록 절삭하는 것에 의해, QFN 제품(26)을 제조한다. QFN 제품(26)에 있어서, 리드(5)의 바닥면과 리드(5)의 측면에 형성된 홈부(27)의 표면에 도금층(23)을 안정되게 형성할 수 있다.
申请公布号 KR20160135656(A) 申请公布日期 2016.11.28
申请号 KR20160056980 申请日期 2016.05.10
申请人 TOWA CORPORATION 发明人 TSUTAFUJI KATSUNORI;KATAOKA SHOICHI;ISHIBASHI KANJI
分类号 H01L23/495;H01L21/288;H01L21/768;H01L23/31 主分类号 H01L23/495
代理机构 代理人
主权项
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