| 摘要 |
Dans un circuit intégré qui possède un transistor de puissance et un transistor de commande formés séparément par une région d'isolation sur un substrat semiconducteur, une couche noyée de type p(3) est formée directement sur le substrat semiconducteur (1), et une couche noyée de type n (4) est formée sur la couche (3). Une couche de type n à résistance élevée (13) est formée ensuite par un procédé de croissance épitaxiale sur toute la surface, une région diffusée d'isolation de type p (6) reliée à la couche de type p (3) et une couche diffusée d'isolation de type n (7) reliée à la couche de type n (4) sont formées, un transistor de commande ou une résistance est formé dans la couche épitaxiale isolée de type n, et un transistor de puissance est formé dans la couche épitaxiale qui n'est pas isolée. |
