| 摘要 |
<p>Inventia se refera la un aliaj de siliciu amorf dopabil, cu banda interzisa controlabila între 1,5 si 3 eV si la un procedeu pentru obtinerea lui, utilizabil pentru realizarea de dispozitive semiconductoare. Aliajul de siliciu, conform inventiei, contine siliciu si hidrogen, în aceeasi retea încorporîndu-se si azot, proportia azot/siliciu fiind de 1/100 pîna la 1/1 pentru controlul benzii interzise de la 1,6 pîna la 2,2 eV, cu mentinerea proprietatilor fotoconductoare ca si pentru trecerea treptata a materialului de la caracterul semiconductor amorf dopabil la acela de izolator cu banda interzisa de peste 3 eV. Procedeul de obtinere a aliajului, conform inventiei, consta în depunerea prin descarcare luminiscenta pe un suport izolator sau conductor a unui material de tip siliciu hidrogenat, depunerea efectuîndu-se din silan diluat, în gaze purtatoare uzuale, argon, azot, hidrogen, la care se adauga si azot suplimentar pentru asigurarea raportului silan-azot, necesar pentru obtinerea lungimii dorite de banda.</p> |
