Sealing Film for Semiconductor Device

摘要

본 발명은 기재 필름의 어느 한 면에 봉지층이 형성되어 있고, 상기 봉지층의 경화 후 저장 탄성율이 20,000 MPa 내지 30,000 MPa이며, 경화 후 유리전이온도가 180℃ 내지 220℃인, 반도체 소자용 봉지 필름을 제공한다. 본 발명에 따른 반도체 소자용 봉지 필름은 봉지층상에 크랙이 발생하지 않고 외부 열에 의해 반도체 패키지가 휘는 현상이 일어나지 않아, 신뢰성 및 수율을 향상시킬 수 있다.