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Dans un procédé de formation d'une structure CMOS (semiconducteur complémentaire d'oxyde métallique) dans un substrat de silicium, des portes de polysilicium (27N, 27P) sont prévues pour des dispositifs à canaux n et des dispositifs à canaux p. Ensuite les régions des dispositifs à canaux p sont protégées par un photomasque tandis que l'arsenic est implanté dans les régions de polysilicium sans masque (27N) et les régions de source/drain de type n (29S, 29D). Au cours d'une étape ultérieure, le silicium dopé à l'arsenic acquiert une couche d'oxyde relativement épaisse (30N) qui est utilisée comme un masque pour les régions de dispositifs à canaux n au cours d'une implantation ultérieure de type p des régions de source/drain de type p (31S, 31D). Une couche intermédiaire d'oxyde (33) ayant des ouvertures est prévue pour être en contact avec des zones du substrat, et une couche de polysilicium (35) est placée par dessus. Pendant que les régions de dispositifs à canaux p sont recouvertes avec un photomasque, de l'arsenic est implanté dans la couche de polysilicium non masquée (35). Durant le chauffage dans une atmosphère d'oxydation, une nouvelle couche oxyde de masquage (37N) est formée et masque les régions de dispositifs à canaux n lors d'une implantation ultérieure de bore dans les régions de contact de type p. Dans une étape ultérieure, les régions de contact des deux types n et p (39S, 39D; 41S, 41D) acquièrent un niveau de dopage accru. Finalement, des conducteurs de contact en aluminium (42) sont prévus sur le polysilicium (35) au-dessus des régions de contact (39S, 39D; 41S, 41D). Le procédé permet une fabrication simple de contacts fiables pour des dispositifs CMOS de dimension réduite. |
