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<P>L'INVENTION CONCERNE UN DISPOSITIF DE MEMOIRE A SEMI-CONDUCTEURS.</P><P>CE DISPOSITIF DE MEMOIRE COMPORTE DES CELLULES DE MEMOIRE M,... COMPORTANT UN TRANSISTOR MISFET Q,... ET UN CONDENSATEUR C,..., DES CELLULES FICTIVES D,... COMPORTANT UN TRANSISTOR MISFET C,... ET UN CONDENSATEUR C,... POSSEDANT UNE CAPACITE EGALE ESSENTIELLEMENT A LA MOITIE DE CELLE DU PREMIER CONDENSATEUR, DES LIGNES DE TRANSMISSION DE BITS BL, BL,... RACCORDEES AUX TRANSISTORS MISFET ET DES LIGNES DE TRANSMISSION DE MOTS WL,..., UNE GRANDEUR DE VARIATION DE LA SURFACE DU CONDENSATEUR C,... ETANT DANS UN RAPPORT FIXE AVEC UNE GRANDEUR DE VARIATION DE LA SURFACE DU CONDENSATEUR C,...</P><P>APPLICATION NOTAMMENT AUX MEMOIRES DYNAMIQUES A ACCES DIRECT.</P>
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