| 主权项 |
1﹒一种于物件中抑制铜一铝金属互化物生长之方法,该物件具有一种含铜构件粘合至一种含铝构件;该方法包含由实质上包含至少约15%之镍而平衡部分实质为铜之铜基底合金形成该含铜构件;及将该铜基底合金粘合至该含铝构件上。2﹒根据上述请求专利部份第1项之方法,其中,该物件复包含:该铜基底合金实质上包含约15%至约30%之镍,而其平衡部分实质为铜。3﹒根据上述请求专利部份第1项之方法,其中,该物件复包含:该铜基底合金实质上包含约19%至约26%之镍,而其平衡部分实质为铜。4﹒根据上述请求专利部份第1项之方法,其中:该物件包含一个积体电路总成;该第二构件包含一个引出框架;该第一构件包含一根引出线粘合至该引出框架上。5﹒根据上述请求专利部份第1项之方法,其中:该物件包含一个积体电路总成具有一个半导体晶片;该第一构件包含一个垫位于该晶片表面上;及该第二构件包含一根引出线粘合至该垫上。6﹒根据上述请求专利部份第1项之方法,其中:该第二构件包含一梁形引出带。7﹒根据上述请求专利部份第1项之方法,其中:该第二构件包含一种并合结构,具有该铜基底合金作为包盖材料,及一种金属或金属合金之核心。8﹒根据上述请求专利部份第1项之方法,其中:该铜基底合金复包括至多约1%铝。9﹒根据上述请求专利部份第1项之方法,其中:该铜基底合金复包括至多约1%矽。10﹒根据上述请求专利部份第1项之方法,其中:该物件包含一个积体电路总成具有一个半导体晶片; 该第二构件包含一个导电构件;及该第一构件包含至少一根导线在该晶片与该第二构件间形成一种连接。 |
