发明名称 一种层状结构过渡金属硫族化合物纳米片的制备方法
摘要 本发明公开了一种过渡金属硫族化合物纳米片的制备方法,包括:将Ti<sub>x</sub>M<sub>y</sub>合金用氢氟酸进行脱合金化处理,得多孔金属M;将多孔金属M与硫族元素B的单质混合均匀,真空下先低温融化扩散,再高温煅烧,得到化合物。本发明工艺过程简单新颖,化学脱合金化提供过渡金属源M,通过真空条件下低温融化扩散和高温煅烧,使反应物充分接触,简化了工艺,提供了生产效率和纯度。所得产品尺寸较小,可广泛应用于锂离子电池、超级电容器、储氢、光电化学、固体润滑剂等领域。
申请公布号 CN104817114B 申请公布日期 2016.09.14
申请号 CN201510182674.2 申请日期 2015.04.17
申请人 山东大学 发明人 张忠华;杨皖凤
分类号 C01G39/06(2006.01)I;C01G37/00(2006.01)I;C01G31/00(2006.01)I;C01B19/04(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I 主分类号 C01G39/06(2006.01)I
代理机构 济南泉城专利商标事务所 37218 代理人 贾波
主权项 一种过渡金属硫族化合物的制备方法,其特征是包括以下步骤:(1)取过渡金属M与金属Ti形成的Ti<sub>x</sub>M<sub>y</sub>合金粉末,加入氢氟酸水溶液中进行脱合金化处理,将合金中的Ti去除,得到多孔金属M;(2)将多孔金属M与硫族元素B的单质按配比混合均匀,真空封装;(3)将步骤(2)中真空封装后的混合物先加热使硫族元素B的单质融化为液体,保温一段时间,然后再升高温度进行煅烧,得到过渡金属硫族化合物;M为Mo、W、Nb、Ta、Cr或V;Ti<sub>x</sub>M<sub>y</sub>合金中,x表示Ti在合金中的原子百分比为40‑90%,y表示M在合金中的原子百分比为10‑60%,x+y=100%;步骤(2)中,当M为Mo、W、Nb或Ta时,多孔金属M与硫族元素B的原子比为1:1.8‑2.1;当M为Cr或V时,多孔金属M与硫族元素B的原子比为1:0.9‑1.1。
地址 250100 山东省济南市历城区山大南路27号