| 主权项 |
1.制造通式l单羰基或双羰基化合物之方法:式中Q系氢或式中R1系c1-6烷基,X系任意被取代之两价脂族或芳脂族基,其脂族链中可任意介入氧或硫,芳族或杂芳族基,或只是两个相邻碳原子间之连接键,及R系氢,C1-4烷基或-C-OR1,但化合物I并非乙二醛,烷基乙二醛及二烷基缩醛,其特征系(a)在-8o。C至十2O。C,于低级脂族醇中,使当量的臭氧和通式Ⅱ不饱和化合物反应:式中n系o或l,Q1,系氢或其中R1系C1-6烷基,R2及R3各自独立,系氢或C1-4烷基;或若n系l,则Q1系R2及R3一起系相邻两碳原子间之另一单键,或两价脂族基,若n系l,则Y和式I中之X同义;若n系O,则Y和R3一起系任意被取代之两价脂族或芳族基,其脂族键中可介入氧或硫,及R系如式I中所述;(b)使所得含过氧化物之溶液不断地加入氢化触媒在醇(和步骤(a)中臭氧化所用之醇相同)之悬浮液中,添加速率系使在整个氢化过程中,氢化溶液中之过氧化物含量不起过0.1莫耳/升,并在pH2-7,15至45。C之温度及1至2O巴之压力氢化,使臭氧化产物连续分裂还原成对应之羰基化合物。2.根据请求专利部份第1.项,其中步骤(a)之臭氧化系在-15。C至O。C之温度范围内进行。3.根据请求专利部份第1.及2.项之制法,其中甲醇系用于步骤(a)之臭氧化及步骤(b)臭氧化产物之还原分裂中,做为溶剂。4.根据请求专利部份第1.至3.项之制法,在步骤(b)中臭氧化产物之还原分裂反应中,氢化溶液中之过氧化物含量一直保持在0.02莫耳/升以下。5.根据请求专利部份第1.至4.项之制法,其中步骤(b)之还原分裂反应系采用铂(不配用携体)为触媒。6.根据请求专利部份第1.至5.项之制法,其中步骤(b)之还原分裂反应系在30至40。C进行。7.根据请求专利部份第1.至6.项之制法,其中步骤(b)之还原分裂过程中,调整pH値在3至5之间。8.根据请求专利部份第1.至7.项之制法,系便不饱和化合物Ⅱ'(式中Q1,R及R3如式Ⅱ中所述;Y系直链或分枝C1-20较佳为C2-10亚烷基,该亚烷基中之一个-CH2-基可被氧或-SO2-基置换;被取代之直链或分枝之C1-20该亚烷基系一个或多个反应条件下呈惰性之基所取代;C7-12芳并烷基或亚烷亚芳基,其可被在反应条件下呈惰性之基取代;邻-、间-、或对-亚苯基,其可被在反应条件下呈惰性之基取代;在杂环上含有一个或两个杂原子两价五-员成六-员杂环基;或系相邻两碳原子间之单键)和臭氧反应,然后还原分裂。9.根据讲求专利部份第1.至7.项任一项之制法,系使通式Ⅱ不饱和化合物,(式中R如第1.项中所述,Y和R3一起系C2-20直链或分枝亚烷基;亚烷基中一个-CH2-基被氧或S02-基置换之直链或分枝C2-20亚烷基;被一个或多个在反应条件下呈惰性之基所取代之C2-20直链或分枝之亚烷基;C7-12芳亚烷基或亚烷亚芳基;被在反应条件下呈惰性之基所取代之C7-12芳亚烷基或亚烷亚芳基)和臭氧反应,然后还原分裂。10.根据请求专利部份第8.项之制法,系便不饱和化合物Ⅱa(式中Y1和氢一起系在邻-、间-或对-位置被取代之苯基,或在环上具有一个杂原子之六员杂环基)和臭氧反应,然后还原分裂而得。11.根据请求专利部份第10.项之制法,系使不饱和化合物Ⅱa(式中Y1和氢一起系对-硝基苯基-,对-甲苯基,2- 啶基或4- 碇基)和臭氧反应,然后还原分裂而得。12.根据请求专利部份第8.项之制法,系便不饱和化合物Ⅱb(式中R4系甲基或乙基,R,系甲基、乙基或二氧羟基)和臭氧反应,然后还原分裂。13.根据请求专利部份第12.项之制法,系使甲基丙烯酸甲酯和臭氧反应,然后还原分裂而得。14.根据请求专利部份第8.项之制法,系便不饱和化合物Ⅱc(式中R1如式I中所定义)和臭氧反应,然后还原分裂。15.根据请求专利部份第8.项之制法,系使化合物Ⅱd(式中Y2系邻-亚苯基成C2-4亚烷基,R6及R7一起系连接相邻两碳原子间之单键或C2-4亚烷基)和臭氧反应,然后还原分裂。16.根据请求专利部份第9.项之制法,系使化合物Ⅱe(式中Y3及R8一起系C2-6亚烷基或-CH2-SO2-CH2,-CH2-O-CH2-,和臭氧反应,然后还原分裂。 |
