| 主权项 |
1.使CO及NH3 与一由不含碳之多孔触媒载体、铁及碳组成之触媒接触以制造HCN之方法,其中铁系配置在载体之孔隙表面上而碳则任意与铁结合者。2.使CO及NH3 与一由不含碳之多孔触媒载体、铁(其中铁系配置在载体之孔隙表面上)及碳(在其中碳系实质上连结及任意结合至铁)组成之触媒接触制造HCN之一种方法者。3.根据上述请求专利部份第1.项或第2﹒项之方法,在其中载体有约0.4至3CC/gm之孔隙度者。4.根据上述请求专利部份第1.项或第2.项之方法,在其中载体有约1至2CC/gm之孔隙度者。5.根据上述请求专利部份第1.项或第2.项之方法,在其中触媒为粒状者。6.根据上述请求专利部份第3.项之方法,在其中触媒有约20至140微米之平均颗粒大小者。7.根据上述请求专利部份第4.项之方法,在其中触媒有约45至90微米之平均颗粒大小者。8.根据上述请求专利部份第5.项之方法,在其中载体有约0.6至2cc/gm之孔隙度者。9.根据上述请求专利部份第1.或2.项之方法,在其中载体为SiO2 。10.根据上述请求专利部份第l项或第2﹒项之方法,在其中触媒有15%力之铁负载量者。11.根据上述请求专利部份第1.项或第2﹒项之方法,在其中触媒有23%之碳负载量者。12.根据上述请求专利部份第1.项或第2﹒项之方法,在其中CO对NH3 之克分子比为约1:1至约3:1者。13.根据上述请求专利部份第1.项或第2﹒项之方法,在其中CO及NH3 系在有从由N2 ,Ar,He及空气所组成之该组内选出之稀释气体与触媒接触者。14.根据上述请求专利部份第13.项之方法,在其中稀释剂对NH3之气体克分子比为约2:1或更小者。15.根据上述请求专利部份第1.项或第2﹒项之方法,其中该制法系在一大气压下实施者。16.根据上述请求专利部份第1.项或第2﹒项之方法,在其中制法过程系在约350至600C之温度时实施。17.藉使克分子比约1:1至3:1之CO及NH3 与一含有不含碳之多孔触媒载体之粒状触媒接触以制造HCN之一种方法,该触媒载体有约45至90微米之平均颗粒大小及约0.4至3.Occ/gm之孔隙度,该载体为SiO2 ,该触媒另外含有铁配置在载体之孔隙表面上,及含有碳,该碳系实质上连结及任意结合至铁,触媒有约15%铁负载量及约23%碳负载量,该反应过程系在一大气压及约350至600C之温度时实施者。 |
