摘要 |
<P>L'INVENTION CONCERNE UNE FORME NOUVELLE DE BIOXYDE DE MANGANESE.</P><P>LE BIOXYDE DE MANGANESE DE L'INVENTION EST PRODUIT PAR TRAITEMENT A LA CHALEUR DE BIOXYDE DE MANGANESE LAMBDA A UNE TEMPERATURE COMPRISE ENTRE ENVIRON 250C ET ENVIRON 400C. CE BIOXYDE DE MANGANESE POSSEDE UN DIAGRAMME DE DIFFRACTION DES RAYONS X PRESENTANT DES PICS A 0,311, 0,241, 0,211, 0,162, 0,156, 0,143 ET 0,131 MANOMETRE ET POSSEDE UNE ACTIVITE ELECTROCHIMIQUE AVANTAGEUSE.</P><P>UTILISATION COMME MATIERE CATHODIQUE ACTIVE DANS UN ELEMENT GALVANIQUE.</P>
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