| 主权项 |
1.一种改良型光感应装置,由非晶形半导体所形成,而在其光-作用区域产生负面地影响能量转换效率的光-诱发缺陷,该等光-诱发缺陷可以在提升温度下利用退火而移除,上述装置包含有:用以降低该等光-诱发缺陷的退火温度之装置;以及用以维持该装置在足以使该等光-诱发缺陷退火的温度之装置。2.依据请求专利部份第1项的光感应装置,其中该用以降低该退火温度的装置包含有混合在该装置的光-作用区域内的一种掺杂剂。3.依据请求专利部份第1项的光感应装置,其中该维持装置是一种电气加热器。4.依据请求专利部份第3项的光感应装置,其中该维持装置进一步含有电力源以及从该电力源供能量于该电气加热器之装置。5.依据请求专利部份第1项的光感应装置,其中该维持装置含有包容该光感应装置的封包,该封包至少部份地对于太阳辐射能透光且能隔热以防止热量从该封包的内部及从该装置散失。6.依据请求专利部份第1项的光感应装置,其中该装置含有一层本质半导体,一与该本质半导体层呈电气接触的淀积p-型半导体层以及一与该本质半导体层呈电气接触而与该p-型层相对的淀积n-型半导体层,该本质层形成该装置的光-作用区域。7.依据请求专利部份第6项的光感应装置,其中该用以降低退火温度之装置包含有一混合在该本质层的至少一部份内的退火温度降低剂。8.依据请求专利部份第7项的光感应装置,其中该温度降低剂是一种该本质半导体层的p-掺杂剂。9.依据请求专利部份第8项的光感应装置,其中该本质半导体层是由以矽为主的半导体所形成,且该p-掺杂剂是选自主要含有硼、铝、镓、铟、铊及其混合物的族群。10.依据请求专利部份第9项的光感应装置,其中该p-掺杂剂出现在该本质半导体层内的数量足以将该本质半导体层的费米能阶多至距该半导体的价带约0.5至0.9电子伏特之范围内。11.一种制造在其光-作用区域内产生光一诱发缺陷而负面地影响能量转换效率的改良型非晶形半导体合金光感应装置的方法,该光-诱发缺陷可用在一提升温度时的退火而移除,该方法包括在该光-作用区域内混合足以将该光作用区域的费米能阶移至距其价带的0.5至0.9电子伏特的位置的数量之退火温度降低剂。12.依据请求专利部份第11.项的方法,其中该装置含有一本质半导体层、一与该本质半导体层呈电气接触的淀积p-型半导体层以及一相对于该p-型层而与该本质半导体层呈电气接触的淀积n-型半导体层,该本质层形成该装置的光-作用区域,该方法包括有将该p-掺杂剂混入该本质层内的步骤。13.依据请求专利部份第12项的方法,其中该本质半导体层是由以矽为主的半导体所形成,且一选自主要含有硼、铝、镓、铟、铊及其混合物的该退火温度降低剂系被混入该本质层内。 |
