| 主权项 |
1.含有一真空空间或充以惰性保护气体之空间及用以由一第一阴极产生一电子束之一半导体装置之装具,该半导体装置包含一半导体本体,其一主表面处具有在工作情况时发射电子之至少一区域,其特点为该装具具有一第二电子源,用以产生电子,电子打击于半导体本体之主表面之至少电子发射区处。2.根据请求专利部份第1项所述之装具,其特点为该装具设有控制装置,该控制装置能集中由第二电子源所产生之电子为电子束,该电子束主要打击于电子发射区上。3.根据请求专利部份第1或2项所述之装具,其特点为该装具在第二电子源方面设有包含一第二阴极之一半导体装置,让装置包含一半导体本体,其主表面具有在工作情况时发射电子之至少一区。4.根据请求专利部份第3项所述之装具,其特点为第一阴极及第二阴极之主表面面相对,且第二阴极所构制处之半导体本体具有一开口,用以通过由第一阴极所产生之电子。5.根据请求专利部份第4项所述之装具,其特点为在垂直于主表面之投影上观之,让开口位置与第一阴极之电子发射区相对。6.根据请求专利部份第3.4.或5项所述之装置,其特点为,在第二阴极之主表面上之电子依环形或环形之一节发射。7.根据请求专利部份第6项所述之装具,其特点为该开口实际为图形,且位置与该环形同心。8.根据请求专利部份第4至7项任一项所述之装具,其特点为第二阴极之半导体本体在远离主表面之面设有一金属层。9.根据请求专利部份第3项所述之装具,其特点为该第一阴极及第二阴极构制于同一半导体本体中。10.根据请求专利部份第9项所述之装具,其特点为在半导体本体之主表面之第二阴极区之电子依环形或环形之一节发射。11.根据请求专利部份第10项所述之装具,其特点为第一阴极之电子发射区位置实际与该环形同心。12.根据请求专利部份第10或11项所述之装具,其特点为该半导体本体具有另一阴极,且该装具设有控制装置,该装置能集中该另一阴极所产生之电子为一电子束,让电子束主要打击于第二阴极之电子发射区上。13.根据请求专利部份第12项所述之装具,其特点为该另一阴极之电子依环形或环形之一节发射,让环形位置与第一阴极之环形同心。14.根据以上请求专利部份任一项所述之装具,其特点为发射电子之表面区之至少一区再分为各别之电子发射区,各再分区之对应元件具有相似之电连接装置,供共同工作调整之用。15.供请求专利部份第4至8项任一项所述装具用之半导体装置,其特点为该半导体装置包含具有半导体本体之一阴极,其中,在工作情况时,电子依环形或环形之一节发射,该环形包围半导体之一开口。16.根据请求专利部份第15项所述之半导体装置,其特点为在平面上观之,该开口置际为圆形,且位置与该环形同心。17.供请求专利部份第9至14项任一项所述之装置用之半导体装置,其特点为在半导体本体中构制至少可分别调整之二半导体阴极。18.根据请求专利部份第17项所述之半导体装置,其特点为第一阴极在半导体本体之一主表面处具有一电子发射区,该区位置实际上与一环形同心,第二阴极依该环形或其一部份发射电子。19.根据请求专利部份第17项所述之半导体装置,其特点为该半导体本体包含另一阴极,其电于依环形或环形之一节发射,该环形之位置实际上与第二阴极之环形同心。20.根据请求专利部分篇15至19项任一项所述之半导体装置,其特点为电子发射区之至少一区再分为各别之电子发射区,让等再分区之对应元件具有相似之电连接装置,供共同工作调整之用。 |
