发明名称 PASSIVATED QUANTUM DOT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
摘要 개시된 패시베이션된 양자점의 제조방법은, 표면에 유기 리간드가 결합된 양자점 및 상기 양자점을 분산하는 비극성 용매를 포함하는 제1 용액을 준비하는 단계; 및 상기 제1 용액에, 할로겐 염 및 극성 용매를 포함하는 제2 용액을 가하여, 상기 유기 리간드를 제거하고, 상기 양자점의 표면에 할로겐 염을 포함하는 패시베이션층을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 할로겐 화합물의 함량이, 상기 양자점 1g에 대하여 0.001몰 이상이다. 상기 방법에 따르면, 안정성이 높은 양자점을 얻을 수 있으며, 리간드 치환 공정 없이 양자점 박막을 형성할 수 있다.
申请公布号 KR20160147526(A) 申请公布日期 2016.12.23
申请号 KR20150084388 申请日期 2015.06.15
申请人 한국기계연구원 发明人 정소희;장원석;김덕종;최혜경;김성우
分类号 H01L51/50;H01L29/12;H01L31/0352;H01L33/04;H01L51/00 主分类号 H01L51/50
代理机构 代理人
主权项
地址