| 主权项 |
1.在一射频电浆中藉沈樍一无定形磷膜于InP上而减低其传导带附近表面状态密度之方法。2.将一无定形磷膜沈积于InP表面上之方法;所述方法之步骤包括用HIO3或胼处理InP之表面。3.如第2颈请求之方法,尚包括喷溅蚀刻所述InP与所述磷膜间之介面以提供一无氧介面之步骤。4.如第3项请求之方法,其中所述喷溅蚀刻操作约进行5分钟。5.如第3项请求之方法,其中所述喷溅蚀刻操作之范围为50-100eV。6.如第3项请求之方法,其中InP之表面状态密度受到提升。7.如第3项请求之方法,其中所述方法使P-InP介面处之费米能阶移动。8.如第2项请求之方法,其中一P膜层与所述表面处理二者之结合可提供光电子装置所需之InP钝化。9.如第3项请求之方法,其中一P膜层与所述表面处理二者之结合可提供光电子装置所需之InP钝化。10.一由曾经HIO3或胼处理之InP基底所形成之光电子装置,以及一沈积于所述InP基底上之P膜层。 |
