| 主权项 |
1. 唑 丁啶基羟甲基丁烯酸衍生物(Ⅱ)之制法,此制法乃将相对应 唑丁啶基卤甲基丁烯酸衍生(Ⅰ)式中R为C1-12烷基,芳烷基或芳基而任意取代以选自C1-3烷基、硝基,C1-3烷氧基,单环芳氧基及卤素之基,R1为氢或羧基保护基,Hal为卤素,在0-1O0C、水、烃、卤代烃、醚或酯溶剂中用过羧酸或其盐或用氢过氧化物阴离子或根基形成试剂氧化10分至20小时,必要时将所生成产品在-50-1OOC,惰性气体下用三价磷化合物或碘盐加酸来还原10分至5小时。2.依第1项之制法,其中Hal为氯、溴或碘。3.依第1项之制法,其中R1为C1-20烷基,芳烷基或芳基酯形成基。4.依第1项之制法,其中过羧酸为选自过乙酸,过丙酸、过丁酸、单过 酸、过苯甲酸,间氯过苯甲酸及其盐,及有低烷酸存在之过氧化氢。5.依第4项之制法,其中氧化乃以硷或藉由水相及水不混溶溶剂相而成之介质来加速。6.依第1项之制法,其中氢过氧化物阴离子或根基形成试剂为氧、过氧化氢、金属过氧化物,过羧酸或其盐。7.依第6项之制法,其中氧化乃在有或无碘化合物,多核芳族烃、酮、色素下照射或在黑暗中加热来加速。8.依第1项之制法,其中任意还原乃以硷金属硼氢化物,硷金属铝氢化物,硷金属(单或双)烷氧基铝氢化物,硼烷或烃基硼烷施行。 |
