发明名称 藉光解反应从炔化鈚锭制造物品之方法
摘要
申请公布号 TW085704 申请公布日期 1987.03.01
申请号 TW074102071 申请日期 1985.05.16
申请人 波拉洛依德公司 发明人
分类号 C08G73/06;C08G85/00 主分类号 C08G73/06
代理机构 代理人 林敏生 台北巿南京东路二段一二五号七楼伟成第一大楼
主权项 1﹒一种制备感光物品之方法,该物品包含有 一支持体其有一感光聚合炔化鈚锭之层 以用来在曝露于光化辐射时形成聚合之N ─醯基一二氮杂,该聚合炔化鈚锭包括 一聚合主链及一下式之炔化鈚锭基团部份 其是该主链之侧链或是其一部份,,其R 1乃烷基,芳基,烷芳基或芳烷基,此方 法包括:藉混合一炔化鈚锭聚合物与一溶 剂,如水,甲醇,乙醇及三氯甲烷以制备 出一溶液,其中该聚合物之浓度是该溶液 之约3至4重量百分比,将该溶液涂布至 该支持体,如玻璃,金属,塑胶如聚乙烯 酸酯,醋酸纤维素,或布料以在其上形 成一感光聚合炔化鈚锭之层。 2﹒一种如请求专利部份第1项之方法,,其 中在上述支持体和上述感光聚合炔化鈚锭 层之间存有一层可为物理或化学方式蚀刻 之物质。 3﹒一种如请求专利部份第2﹒项之方法,其 中该层可蚀刻之物质包含一层金属。 4﹒一种如请求专利部份第3项之方法,其中 该层金属包含银,铜,铟,氧化锡或铁镍 合金。 5﹒一积如请求专利部份第4﹒项之方法,其 中该支持体包含一绝缘板及该层金属包含 铜。 6﹒一种如请求专利部份第1项之方法,其中 上述感光聚合炔化合物包含多个具有下式 之重覆单位式中L乃一有机连接基,m为 1或2之整数及R2为氢,卤基或低烷基 。 7﹒一种如请求专利部份第6﹒项之方法,其 中在该重覆单位内,L为下列诸式之二价 基:其中在各基内,R乃氢,烷基,芳基 ,烷芳基或芳烷基及R3为一二价次烷基 。 8﹒一积如请求专利部份第7﹒项之方法,其 中在上述重覆单位内,X为─C─,m乃 2及L为式─C─O─R3─N─之二价 基,其中R3为1,2一次乙基。 9﹒一种如请求专利部份第8﹒项之方法,其 中在上述重覆单位中,R为甲基。 10﹒一种如请求专利部份第6﹒项之方法,其 中该层感光聚合炔化物包括来自乙烯层不 饱和共聚合单体之重覆单位。 11﹒一种如请求专利部份第6﹒项之方法,其 中该层感光聚合炔化物自含水溶剂媒液中 涂于该支持体上。 12﹒一种制备包含有一层水不溶或疏水保护之 N─醯基─二氮杂聚合物之底层之制品 的方法,该N─醯基─二氮杂聚合物包 含一聚合物主链及一以式之N─醯基─二 氮杂基团部份其从该主链侧出或为主链 之一部份,式中X为─C─,─P─或─ SO2─,其中R1乃烷基,芳基,烷芳 基或芳烷基,此方法包括:使一包含有 一层感光聚合炔化物之支持体之制品接受 光化辐射,该光化辐射足能将该聚合之炔 化物转化成一种水不溶的或疏水的N─醯 基─二氮杂保护聚合物。 13﹒一种如请求专利部份第12项之方法,其 中在该N─醯基─二氮杂基团中该X为 或─SO2─。 14﹒一种如请求专利部份第12项之方法,其 中该保护之N─醯基─二氮杂聚合物包 含多层具有下式之重覆单位式中L乃─有 机连接基及m为1或2之整数。 15﹒一种如请求专利部份第14﹒项之方法, 其中在该重覆单位内m为2及x系─C─ 。 16﹒一种如请求专利部份第12项之方法,其 中该保护之N─醯基─二氮杂聚合物包 含多个具有下式之重覆单位式中L乃─有 机连接基,m为1或2之整数及R2乃氢 ,卤基或低烷基。 17﹒一种如请求专利部份第16项之方法,其 中L乃下列诸式之二价基:;或─Ar─ R9─其中在各其内R为氢,烷基,芳基 ,烷芳基或芳烷基,及R3系─二价之次 烷基。 18﹒一种如请求专利部份第16﹒项之方法, 其中在该重覆单位内X乃L为式─C─O ─CH2─CH2─N─之二价基及m为 2。 19﹒一种如请求专利部份第16项之方法,其 中该保护之N─醯基─二氮杂聚合物包 括来自乙烯属不饱和共聚合单体之重覆单 位。 20﹒一种如请求专利部份第12项之方法,其 中该底质为板状者。 21﹒一种如请求专利部份第20项之方法,其 中该保护之N─醯基─二氮杂聚合物存 在于该板中预定区域而不存在于该板中其 他预定区域,从而在该板中供与上述保护 之N─醯基─二氮杂聚合物之图样。 22﹒一种如请求专利部份第21﹒项之方法, 其中在上述保护之N─醯基─二氮杂聚 合物存在之该预定区域内,在上述保护之 N─醯基─二氮杂聚合物和该板间存有 一层金属。 23﹒有一层水不溶或疏水之保护聚合物之制 品之制法,此法包含使一包含有一层感 光聚合炔化物之支持体之制品接受光化辐 射,该光化辐射足够将该聚合之炔化物转 化成一种水不溶的或疏水的N─醯基─二 氮杂保护聚合物。 24﹒上述第23项之方法,其中该感光聚合炔 化物包含一聚合物主链其具有下接于主链 或作为该主链一部份之下二式之炔化鈚锭 基团式中X乃─C─,─P─或─SO2 ─,其R1为一烷基,芳基,烷芳基或芳 烷基。 25﹒上述第24项之方法,其中在该炔化鈚锭 基团中X乃O或──C─,─SO2─。 26﹒上述第23项之方法,其中该感光聚合炔 化鈚锭包含多个具有下式之重覆单位式中 L为一有机连接基及m系1或2之整数。 27﹒上述第26项之方法,其中该感光聚合炔 化鈚锭包含多个具有下式之重覆单位其中 L乃有机基之连接基,m为1或2之整数 及R乃氢,卤基或低烷基。 28﹒上述第2项之方法,其中在上述重覆单位 内L为下列诸式之二价基:─Ar─;或 ─Ar─r3─,其中在各基内R为氢, 烷基,芳基,烷芳基或芳烷基,及R3为 ─二价之次烷基。 29﹒上述第27项之方法,其中在该重覆单位 内R为氢或甲基,X乃O,m系2及L为 式─C─O─R3─N─之二价基,其中 R9乃1,2一次乙基。 30﹒上述第2项之方法,其中该感光聚合之炔 化鈚锭包括来自乙烯属不饱和共聚合物单 体之重覆单位。 31﹒上述第23﹒项之方法,其中在该支持体 与该感光聚合炔化物之间存有一层可为物 理或化学方式蚀刻之物质。 32﹒上述第23项之方法,其中该层感化聚合 炔化物之预定区域曝露于上述光化辐射, 而该层感光之聚合炔化物之其他预定区域 则使遮住不受该光化辐射,从而选择地曝 光该层感光聚合炔化物且在该选择曝光区 域内形成该水不溶之或疏水之N─醯基─ 二氮杂保护聚合物。 33﹒上述请32项之方法,其中该层感光聚合 炔化物遮住未曝露于该光化辐射之区域自 该支持体中除去,从而在上述支持体上供 与该水不溶或疏水之N─醯基─二氮杂 保护聚合物之预定图案。 34﹒形成光致抗蚀剂之方法,此法包含下列诸 步骤:选择地使一包含有一层金属支持 体之感光与品曝露于光化辐射及在该金属 层上有一层感光之聚合炔化物,该选择感 光可由使该感光层预定区域曝露于该光化 辐射而遮住该感光层其他区域使不曝露于 该光化辐射而达致,该光化辐射足可将在 该曝光区域内之该感光聚合炔化物转化成 水不溶之或疏水之N─醯基─二氮杂保 护聚合物;及自该未曝光区域中除去该感 光之聚合炔化物。 35﹒上述第34项之方法,其中该金属可赖化 学或物理方式自该未曝露光区域中除去, 从而在该支持体上供与一预定之图案,包 含预定区域之金属,于其上具有该水不溶 之或疏水之N─醯基─二氮杂保护聚合 物。 36﹒上述第35项之方法,其中该金属之移去 可由用一种为该水不溶或疏水之N─醯基 ─二氮杂保护聚合物所抗之化学蚀刻液 所达致。 37﹒上述第34项之方法,其中该有一层金 属之支持体包含一镀金之绝缘板。
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