| 主权项 |
1﹒一种半导体装置之制造方法,含选择性地对基板上半导体层之蚀刻除去工程,其特征包括有:*不纯物(杂质)注入工程,即于上述半导体层中,导入对于半导体层之等方性蚀刻具有耐蚀刻性的不纯物。*异方性蚀刻工程,蚀刻时,残留上述半导体层所选择性蚀刻除去领域之其厚度方向的一部份;以及*将上述半导体层之厚度方向所残留部份,藉由等方性蚀刻之除去工程者。2﹒一种半导体装置之制造方法,含选择性地对基板上半导体层之蚀刻除去工程,其特征包括有:*不纯物(杂质)注入工程,即于上述半导体层中,导入对于半导体层之等方性蚀刻具有耐蚀刻性的不纯物;*异方性蚀刻工程,蚀刻时,残留上述半导体层所选择性蚀刻除去领域之其厚度方向的一部份;*热处理扩散工程,经由热处理,以将上述不纯物扩散至上述半导体层之不被蚀刻除去领域当中;以及*将上述半导体层之厚度方向所残留部份,藉由等方性蚀刻之除去工程者。 |
