| 摘要 |
<p>Un procédé de fabrication de dispositifs à semiconducteurs comprend une étape d'oxydation thermique de substrats semiconducteurs (1) (12) pour former une première et une deuxième pellicules d'oxyde (24) (25) sur deux surfaces principales des substrats, une étape d'implantation sélective d'impuretés ioniques à travers la première pellicule d'oxyde (24) pour former des éléments dans les substrats semiconducteurs (1) (12), une étape de formation successive d'une pellicule (30) qui constitue une source de diffusion d'impuretés et d'une pellicule protectrice (31) sur la deuxième pellicule d'oxyde (25) et une étape de formation de couches diffusées prédéterminées (17) (18) sur une surface principale des substrats semiconducteurs (1) (12) par diffusion d'au moins un type d'impuretés ioniques implantées par un traitment thermique commun. Pour former une couche diffusée (4) sur l'autre surface principale des substrats semiconducteurs (1) (12), les impuretés contenues dans la pellicule (30) qui constitue la source de diffusion d'impuretés sont diffusées dans les substrats semiconducteurs (1) (12) à travers la deuxième pellicule d'oxyde (25). Ce procédé permet d'éliminer efficacement des impuretés atomiques, telles que des métaux lourds, contenues dans le substrat semiconducteur (1) et d'absorber des défauts très fins. En outre, la pellicule protectrice (31) prévient des effets adverses provoqués par le traitement thermique utilisé pour former les couches diffusées (17) (18). On peut ainsi produire un dispositif à semiconducteurs fiable, et simplifier les étapes de production. Différentes impuretés peuvent être sélectionnées pour former des éléments, ce qui représente un grand avantage du point de vue de la production.</p> |
