发明名称 半导体积体电路装置
摘要
申请公布号 TW091421 申请公布日期 1987.10.01
申请号 TW075102220 申请日期 1986.05.19
申请人 日立超爱尔.爱斯.爱工程股份有限公司;日立制作所股份有限公司 发明人 大久保京夫;日月央;高桥收;深泽武;福田宏
分类号 H01L27/105 主分类号 H01L27/105
代理机构 代理人 林敏生 台北巿南京东路二段一二五号七楼伟成第一大楼
主权项 1.一种半导体积电路装置,包括有:一个第一交换树部份,包括有一个第一分支部份,此第一分支部份由比较少数目的第一交换元件所构成,并且由一个第一输入信号来控制其「导通」(on)和「断开」(off),和一个第二分支部份,此第二分支部份由比较多数目的第二交换元件所构成,并且由一个第二输入信号来控制其「导通」和「断开」;和一个第二交换树部份,包括有第三分支部份,此第三分支部份由比较少数目的第三交换元件所构成,并且由第二输入信号来控制其「导通」和「断开」,和一个第四分支部份,此第四分支部份由比较多数目的第四交换元件所构成,并且由第一输入信号来控制其「导通」和「断开」。2.如上述请求专利部份第1.项所述之半导体积体电装置,其中的第一到第四交换元件的每一个由一绝缘闸场效电晶体来形成。3.如上述请求专利部份第2.项所述之半导体积体电路装置,其中的每一个第一和第二输入信号包含有互补输入信号。4.如上述请求专利部份第2.项所述之半导体积体电路装置,其中的每一个第一和第二交换树部份包括有一个第一节点,多个经由交换元件选择性耦合到第一节点的第二节点,和分别耦合到第二节点的一些负载元件。5.如上述请求专利部份第4.项所述之半导体积体电路装置,其中的负载元件由一种绝缘闸场效电晶体来形成。
地址 日本