| 主权项 |
1﹒一种经由穿孔面具高速,异向性,活性离子模式等电游离气蚀刻单晶矽而产生具基本上垂直侧壁之深刻纹之方法,包含以下步骤:(a)提供具有一由二氧化矽及氮化矽所组成族群中选出穿孔面具之单晶矽底衬材料;(b)将上述底衬材料暴露于含1至2NF3:1至3HFC比例之三氟化氮(NF3)及仅含一碳原子之卤氟碳化物(HFC)之混合气体环境蚀刻层中;(c)于上述混合气体环境产生一等电游离气并从该等电游离气中导引离子穿过上述面具进入上述单晶矽底衬材料而异向活性离子蚀刻该底衬材料,其中该蚀刻系在使用一能量588─2000瓦,1─50MHz频率下,以每分钟至少0﹒1微米之范围内高速进行,而在该底衬材料上产制一具有垂直深度范围3─15微米间,基本上具垂直侧壁,基本上无面具下浸蚀及基本上无弓形浸蚀之深刻纹,2﹒如请求专利部分第1项之方法,其中该卤氟碳化物系从CF3Cl,CF2Cl2,CF3Br,CF3I,CF2Br2,CF2I2,CF3ClH及CCl2FH所组成之族群中选出。3﹒如请求专利部分第1项之方法,其中该混合气体环境包含NF3及CF3Cl。4﹒如请求专利部分第1﹒项之方法,其中该蚀刻层在蚀刻进行中保维持在压力大于0﹒2至1﹒0TORR间。5﹒如请求专利部分第1项之方法,其中该穿孔面具为SiO2。6﹒如请求专利部分第1﹒项之方法,其中在该蚀刻层中气体环境之流量为10─100SCCM。7﹒如请求专利部分第1项之方法,其中该蚀刻层包含距间隔之电极,该电极之温度维持在15─25℃。8﹒如请求专利部分第1项之方法,其中该气体环境包括一稀释气体,该稀释气体系从氩、氪、氦及氖所组成之族群中所选出。 |
