DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR A HETEROJONCTION ET DOUBLE CANAL, SON APPLICATION A UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP, ET SON APPLICATION A UN DISPOSITIF DE TRANSDUCTANCE NEGATIVE

摘要

LE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR A HETEROJONCTION COMPORTE UN DOUBLE CANAL AYANT UNE COUCHE A MOBILITE FORTE 1, UNE COUCHE BARRIERE 2, ET UNE COUCHE A MOBILITE REDUITE 3, LA COUCHE BARRIERE ETANT SUFFISAMMENT MINCE POUR QUE LES PORTEURS PUISSENT PASSER DE LA COUCHE A MOBILITE REDUITE A LA COUCHE A MOBILITE PLUS FORTE PAR EFFET TUNNEL, LORS DE VARIATIONS DU CHAMP ELECTRIQUE DE POLARISATION DE CE DOUBLE CANAL.

CE DISPOSITIF EST APPLICABLE A LA REALISATION DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP A TEMPS DE REPONSE RAPIDE, SANS VARIATION DE CHARGE DU CANAL, MAIS AVEC VARIATION DE LA MOBILITE DE PORTEURS. IL S'APPLIQUE EGALEMENT AUX DISPOSITIFS A TRANSCONDUCTANCE NEGATIVE UTILISABLES COMME OSCILLATEUR OU TRANSISTOR COMPLEMENTAIRE DANS LES CIRCUITS INTEGRES.