半导体器件及其制造法

摘要

本发明半导体器件之所以在高温环境中或高温高湿环境中显示出极好的电气性能，是因为以反应层厚度大于等于0.2(微米)的方式，将铝焊线的端部连接于铜或铜合金引线电极。本发明提供的半导体器件制造方法，由于采用了将铝焊线连接于铜或铜合金引线框架的键合区，进行热处理，而使得铜或铜合金与铝的反应层厚度大于等于0.2(微米)的步骤，因而能够容易地制作，可在高温环境中或高温高湿环境中显示极好电气性能的高可靠半导体器件。

主权项

1.半导体器件30，包括有：安装在引线框架20的焊接区上的半导体芯片22，该引线框架材料选自一组包括铜和铜合金的材料，在所述引线框架20上形成的引线电极25：一端连接于所述半导体芯片焊接区24，另一端连接于所述引线电极25的焊线23：以及密封所述半导体芯片22、所述焊接区24和所述焊线23的树脂密封材料26，其密封方式使所述引线框架20的一部分及所述引线电极25的一部分通向外部，其特征在于，所述焊线23由铝构成，在焊线23与所述引线电极25所连接的部分上，反应层60厚度大于等于0.2(微米)。