| 主权项 |
1﹒一种产生同位素纯的超低质量可分裂沈积物之方法,其特征在于下列步骤(a)固定放射性母体直接放射性母体到达与此母体之放射性衰变所形成的子体成长期平衡;(b)自母体化学分离子体;(c)在基体上电镀子体;以及(d)固定环镀之子体直到子体衰变成可分裂沈积物。2﹒如请求专利部份第1项之方法,其特征在于母体选自243Am和241Pu组成之群。3﹒如请求专利部份第1或2项之方法,其特征在于子体是239Np。4﹒如请求专利部份第1﹒或2﹒项之方法,其特征在于子体是237U。5﹒如请求专利部份第1﹒或3﹒项之方法,其特征在于可分裂沈积物是239Pu。6﹒如请求专利部份第1﹒或4﹒项之方法,其特征在于可分裂沈积物是237Nd。7﹒如请求专利部份第1﹒项之方法,其特征尚在于下列步骤:(e)结合可分裂沈积物与固态轨迹记录器;(f)将可分裂沈积物曝露于中子流量;以及(g)依据可分裂沈积物之分裂致决定中子流量质。8﹒依接请求专利部份第1﹒或7﹒项制备之可分裂沈积物,其特征在于可分裂沈积物是纯的同位素。 |
