| 主权项 |
1.一种半导体装置之制程其包含下列顺序步骤:依序于半导体基体之主要平面上形成一氧化物层及一可抵拒氧化以及热量之遮蔽材料之第一层;以图案方式移除重叠位置处之前述两层以形成四部且前述半导体基体之底部外露;仅以选择方式移除该等环绕凹部处之氧化物层以留存凹槽;将该等可同时抵拒氧化与热量之遮蔽材料之第二层沉积于前述四部底面处之半导体基体之外露表面上并沉积于前述凹槽内;自四部之底部处移除前述遮蔽材料之第二层且使遮蔽材料留存于前述凹槽中;以及选择式氧化前述受遮蔽之半导体基体之外露表面而留存遮蔽材料之第一与第二层。2.如第1.请求项所述之一种程序,其中前述遮蔽材料之第一层及前述氧化物层系以相同图案进行蚀刻以形成前述之四部,且其余之氧化物层进一步系在藉遮蔽材料之剩余第一层施以下侧遮蔽之情形下进行过度蚀刻程底。3.如第1.请求项所述之一种程序,其中在遮蔽材料之第一层之蚀刻程序完成后的清除作业阶段中,前述氧化物层系以和前述遮蔽材料第一层相同之图案进行蚀刻程序且按着前述氧化物层被进一步加以连缤式之过度蚀刻。4.如第2.请求项所述之一种程序,其中前述凹部系藉乾式蚀刻程序加以形成而前述过度蚀刻程序则为一湿式程序。5.如第3.请求项所述之一种程序,其中遮蔽材料之第一层之蚀刻及随后之过度蚀刻均系藉一湿式程序加以实施者6.如第2.或3.请求项所述之一种程序,其中前述遮蔽材料之第二层系以如此之方式沈积使得位于自遮蔽材料之第一层伸出之屋檐部下侧并藉前述过度蚀刻程序所形成之凹槽内(意即,前述氧化物层被选择式移除之中空空间)系完全以前述第二层之遮蔽材料加以充填者。7.如第1.请求项所述之一种程序,其中遮蔽材料之第二层系藉蚀刻回复技术加以蚀刻以将前述第二层之遮蔽层留存于前述凹槽内。8.如第1.请求项所述之一种程序,其中前述半导体之表面系在以遮蔽材料之第一与第二层施以下侧遮蔽之情形下进行图案式氧化以形成一场氧化物膜之图案而供电路元件隔离之用。9.如第1.请求项所述之一种程序,其中前述氧化物层系由Si02所组成且前述遮蔽材料之第一与第二层均系由Si3N4所组成。.l0.如第1.请求项所述之一种程序,其中一杂质系经由前述四部而被引入至前述半导体基体内以充作通道止挡之用。 |
