| 发明名称 |
PROCEDE DE GRAVURE LOCALISEE D'UNE COUCHE D'OXYDE DE SILICIUM |
| 摘要 |
<P>LA PRESENTE INVENTION CONCERNE UN PROCEDE DE GRAVURE LOCALISEE D'UNE COUCHE D'OXYDE DE SILICIUM SIO COMPRENANT LES ETAPES CONSISTANT A PLACER UN SUBSTRAT PORTANT LA COUCHE DANS UNE ENCEINTE A UNE PRESSION INFERIEURE D'ENVIRON 10 PA EN PRESENCE DE SIH, ET CHAUFFER PONCTUELLEMENT LA ZONE A GRAVER. LE CHAUFFAGE EST DE PREFERENCE REALISE AU MOYEN D'UN FAISCEAU LASER FOCALISE.</P><P>APPLICATION A L'OUVERTURE DE COUCHES D'OXYDE DE SILICIUM A LA SURFACE DE COMPOSANTS SEMICONDUCTEURS EN COURS DE FABRICATION.</P>
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| 申请公布号 |
FR2603421(A1) |
申请公布日期 |
1988.03.04 |
| 申请号 |
FR19860012296 |
申请日期 |
1986.08.26 |
| 申请人 |
ETAT FRANCAIS CNET |
发明人 |
GEOFFROY AUVERT;YVES PAULEAU;DIDIER TONNEAU |
| 分类号 |
H01L21/302;G01R31/26;H01L21/311;(IPC1-7):H01L21/302;H01L21/268 |
主分类号 |
H01L21/302 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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