| 主权项 |
1.一种串联式相位控制及整形电路主要包括:相位控制及整形信号产生电路,前者供与整形晶体并联,后者产生整形信号供驱动整形晶体者,所串联功率晶体对其急陡前缘波形之电流作缓和之阻抗降低及对急陡下降之波形电流作缓和之阻抗上昇,以使输至负载之电流形成一低杂讯之顺滑波形者;上述串联式相位控制及整形电路包括由下列电路所构成:由四个二极体CR101.CR102.CR103.CR104构成一至波桥式电路,其AC端分别接至电源之一端以及串联各种负载后接至电源另一端,电路中,一组矽控闸流体SCR101,与一电阻R101串联后并联于功率晶体Q101之C、B两端,SCR101阴极K接于、Q101之基极,SCR101之保持电流値为能在最小工作电压値时大于流经R101之晶体电流IB者,而功率晶体Q101之集电极接于桥式整流正端;一组可变电阻VR101及移相电容C101串联后,VR101之一端接于桥式整流正端,电容C101另一端接于负端,可变电阻VR101与电容C101相接处串接一触发二极体(DIAC)D101.D101之另一脚接至矽控闸流体SCR101之间极G而构成一藉VR101调整之移相触发电路;一限流电阻R101与SCR101串联后并联于功率晶体Q101之C与B接脚,另一偏压分流电阻R102及充电电容C102并联于功率晶体之B与C脚间,当SCR101触发而于急速上昇之电流IB来临时,由R101与C101形成积分曲线之电压上昇,进而控制Q101之阻抗呈积分之变化下降以使施于负载之上昇率缓和者,上述Q101之B极与C101及SCR101之K脚间必要时可进一步串联一限流电阻R103或104以调整上昇时间;当电源电流下降时则C对R102缓和放电以使品体阻抗作微分之上昇而构成对相控后之具有急陡前缘之电流产生整形作用者。2.请求专利部份1所述串联式相位控制及整形电路包括由下列电路所构成:由四个二极体CR501.CR502、CR503.CR504构成一全波桥式电路,其AC端分别接至电源之一端以及串联各种负载后接至电源另一端,电路中;一组矽控闸流体SCR501,与一功率晶体Q501作顺极性串联后,SCR501阴极K接于前述桥式电路负端,功率品体之集电极接于桥式整流正端;一组可变电阻VR501及移相电容C501串联后,VR501之一端接于桥式整流正端,电容C501另一端接于负端,可变电阻VR501与电容C501相接处串接一触发二极体(DIAC)D501,D501之另一脚接至矽控闸流体SCR501之闸极G而构成一藉VR501调整之移相触发电路;一限流电阻R501并联于功率晶体Q50l之C与B接脚,另一偏压泄流电阻R502及充数电容C502并并联于功率晶体之B与C脚间,而于外加急速上昇之电流来临时,由R501对C501形成积分曲线,进而控制Q501之阻抗呈积分之变化下降以便施于负载之上昇率缓和者;当电源电流下降时则C对R2缓和放电以使晶体阻抗作微分之上昇者;保持电阻R500为专用以在SCR501触发后Q501动作前保持其导通状态者,由上述而构成对相控后之具有急陡前缘之电流产生整形作用者。3.请求专利部份2所述电路进一步之特征为以TRlAC与桥式整流及负载串联以取代原有之SCR601者。 |
