发明名称 头芽胞菌素之制造法
摘要
申请公布号 TW101262 申请公布日期 1988.07.16
申请号 TW076100608 申请日期 1987.02.09
申请人 武田药品工业股份有限公司 发明人 内藤建三;石桥幸雄
分类号 C07D403/12 主分类号 C07D403/12
代理机构 代理人 陈灿晖 台北巿城中区武昌街一段六十四号八楼;洪武雄 台北巿城中区武昌街一段六十四号八楼
主权项 1.一种制造以化学式所示化合物或其盐的方法,式中,R表示氢原子,醯基或醯基以外的保护基,Q表示氢原子或酯残基,Y表示亲核性化合物残基,而点线则表示晒吩环的第2或3位置上的双键,其特征系由下列化学式所示化合物或其盐,式中,R,Q及点线所示意义悉如前述,与亲核性化合物或其盐,及下列化学式所示之化合物互相反应,式中,R1,R2和R3个目表示具有不超过8个碳原子的烃基,或R1与R2,R1与R3或R2与R3结合而形成聚亚甲基。2.如请求专利部份第1.项所述之方法,其中R1,R2及R3分别为C1-8,烷基。3.如请求专利部份第1.项所述之方法,其中以化学式所示之化合物为亚磷酸三甲酯,亚磷酸二乙酯,亚磷酸三异丙睦亚磷酸三正丁酯。4.如请求专利部份第1.项所述之方法,其中点线表示在晒吩环之第3位置为双键。5.如请求专利部份第1.项所述之方法,其中亲核性化合物为含氮之亲核性化合物。6.如请求专利部份第1.项所述之方法,其中亲核性化合物为含硫之亲核性化合物。7.如请求专利部份第1.项所述之方法,其中以R表示之醯基系下列化学式所示之基。式中Rz为胺基,且可用如合成-内醯胺及胜 之领域上惯用之胺基保护基加以保护之。
地址 日本