| 主权项 |
1﹒用以制造特细高纯度碳化硼粉末之方法, 其包含使一主要含有挥发性硼源、以硼源 之硼计算至高为化学计量比之氢源的反应 物气体连续流,于至少约300Torr 的绝对压力下,遭受─CO2雷射辐射, 其之量能有效的转换至少一部份挥发性硼 源至B4C。 2﹒依据申请专利范围第1项所述之方法,其 中此硼源为烷基硼、烷基硼酸、氢化硼或 卤化硼。 3﹒依据申请专利范围第2项所述之方法,其 中此硼源为三氯化硼。 4﹒依据申请专利范围第3项所述之方法,其 中以BCl3计算至高约化学计量比之5 0%的碳源存在。 5﹒依据申请专利范围第4项所述之方法,其 中存在于初始气体混合物之碳源的量为反 应物气体混合物中BCl3计算为化学计 量比之约20%至60%;其中存在之氢 为以反应物气体混合物中BCl3为化学 计量比之100%至1,000%;其中 此反应为于约300至1500Torr 压力下引发;且其中碳源为甲烷或乙烯。 6﹒依据申请专利范围第5项所述之方法,其 中存在之碳源之量为化学计量比之约40 %至60%;其中氢以200至800% 存在;且其中反应于约600-700T roo压力下引发。 7﹒依据申请专利范围第1项所述之方法,其 中存在于初始气体混合物之碳源的量为以 存于初始气体混合物中之硼源计算为化学 计量比之约40%至60%。 8﹒依据申请专利范围第1或4项所述之方法 ,其中之碳源为挥发性碳氢化合物或挥发 性碳卤化合物。 9﹒依据申请专利范围第1或8项所述之方法 ,其中碳源为甲基、乙烯或四氯化碳。 10﹒依据申请专利范围第1或6项所述之方法 ,其中碳源为甲基。 11﹒依据申请专利范围第7项所述之方法,其 中存于初始气体混合物之氢为以初始气体 混合物之硼源计算为化学计量比之约3─ 00至400%。 12﹒依据申请专利范围第6项所述之方法,其 中存在之氢为化学计量比的300至40 0%。 13﹒依据申请专利范围第1项所述之方法,其 中CO2雷射提供至少为10瓦特之能量 14﹒依据申请专利范围第1项所述之方 法,其中反应为于约300至1,500 Torr下引发。 15﹒依据申请专利范围第14项所述之方法, 其中反应为于约600-700Torr 下引发。 |
