| 主权项 |
1.一种场效电晶体(field effect transis-tor),为吸极(drain)与源极(source)中,至少有一方为使用多数个种类之场罩(-mask)对于半导体基板中多数次导入杂质(impurity)以形成之场效电晶体,具备一组以上对于闸极(gate)之吸极与源极之位置关系互相反转之第1与第2单位场效电晶体组合形成之单位电晶体对,经由使前述第1与第2单位场效电晶体之各闸极,各吸极及各源极分别成为电路接线,由前述第1与第2之单位场效电晶体之并联接线形成为特征者。2.一种场效电晶能,为吸极与源极中,至少有一方为使用多数个种类之场罩对于半导体基板中多数次导入杂质以形成之场效电晶体,半导体基板上以直线状配列形成之3个以上之能动区域以每隔1个交替接线以形成吸极与源极之同时,亦经由分别插装于前述能动区域之互相间之多数个MIS构造中之导电层互相接线以形成闸极为特征者。3.如申请专利范围第2项所述之场效电晶体,由奇数个能动区域与偶数个导电层形成为特征者。图示简单说明:第1图为表示,本发明之第1发明之一实施例之MOS FET之上视图。图2为,实施例之MOS FET之等效电路图。第3图及第4图为分别表示以往之MOS FET之上视图及剖面图。第5图为以往之MOS FET之等效电路图。第6图及第7图为表示第2发明之一实施例之MOS FET之上视图及剖面图。第图8为实施例之MOS FET之等效电路图。 |
