静态随机存取记忆体之改良

主权项

一种静态随机存取记忆体之改良,包括一具有绝缘层之单矽晶,上部设以矽晶膜,于矽晶膜之上层为一保护薄膜层,电阻体则设于中央处,为薄膜层覆盖,而两侧露出部则为导电接触面,其特征在于利用金属或其合金,连设于电阻体之接触面,使接触体连接至负载电阻,完全导电相连,其电阻长度可缩至最中,进而提高容量者。图示简单说明图一为本创作之上视图。图二为本创作之剖视图。图三习用结构之上视图。图四习用结构之剖视图。