| 主权项 |
1.一种产出一大型无机物质连续薄片的方法,该薄片具有均一的晶态,该方法包括下列步骤:A.将该物贸实质上的一薄膜施于一可为该物质所湿润的支持面上,并加熟以维持该物质于液相;B.使该支持面连同其上的溥膜前进于一第一方向;C.于该溥膜的暴露面建立一垂直于该第一方向的骤冷区,延伸于该垂直的第二方向,庶几该薄膜在低于其熔点的温度下冷却,而循一成角度的等热线而固化;D.恰在该线之前方,以一选定的晶态,种晶于该薄膜,使该薄膜循该线,依该选定的晶态而固化;E.使该支持面连种晶杆同依该第一方向而前进,含该薄膜经过骤冷区,庶几该同一晶态于该薄膜经过该骤冷区而固化时,在薄膜的后续部份繁衍之。2.如申请专利范围第1项所述之方法,复包括:A.将膜自支持面上分离之;B.再将固化之膜与种晶装置分离之。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该膜系循位于该等熟线上游的一条线自支持面上分离之,庶几该面向支持面的膜面仍在液态情况之下,并包括于膜依支持面相同方向与速度移离骤冷区而完全固化时,将分离之膜加以支持之步骤,以使该一经由该区之膜上不受拉力者。4.如申请专利范围第2项所述之方法,复包括于骤冷区下游处将膜集积,在膜之输送之际,使骤冷区中之膜不受拉力者。5.如申请专利范围第1项所述之方法,包括另外的步骤以控制住该骤冷区中整个膜之热差梯度,庶几膜之暴露表面于膜自支持面上分离之前固化之,而膜之相对表于膜自支持面上分离后固化之。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该膜之施于支持面,系藉:A.维持一该项物质之熔融液;B.将一具有构成该支持面的可湿表面之旋转鼓置于与该熔液作短暂接触之位置,庶几该熔融物质粘附于鼓面并循鼓之一段弧面展布之;C.将鼓与熔液形成一间隔,以使该熔融物质在鼓面与熔液之间形成一新月形,于鼓继纸转动时,熔质自该熔液中藉新月而拉出,在鼓面上形成液膜而分布之。7.如申请专利范围第6所述之方法,另包括综合鼓的速度与温度,熔液温度、粘度,与新月形之断面积等因素之步骤,以将熔质以一均匀薄膜之形态沈积于鼓上,涵,盖至少一整个象限之鼓面者。8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该熔液之温度维持于一高于该鼓面之温度,以给予该新月部份中的熔质一选定的粘度,并控制鼓而至熔液面之距离以维持该新月部份于一选定之断面积者。9.一种用以制造一具有一选定的均匀晶态之无机物质连续薄片之装置,包括:A.一用以容纳该物质熔液的坩锅;B.用以加热坩锅至一选定之温度以维持其中之物质于液相之装置;C.一与坩锅相对的可湿性表面,其位置使能与该坩锅中熔液表面作暂时性接触,该表面为该物质所湿润,并加热至一足以维持该物质于其液相之温度者;D.用以使该支特商与该坩锅中熔质作短暂接触之装置,以在该支持面与熔液表面间建立一新月形部份;E.用以使该支持面相对于该坩锅移动于一受控制的速度的装置以维持该一新月部份,该熔质从而得以经该新月部份自坩锅拉出,并以一液膜形态均匀地展布于该支特面者;F.置于该支持面邻近,相对于其上薄膜的骤冷装置,该装置在膜面上建立一骤冷区, 维持于一低于膜熔点之温度,庶几该支持面之移动使膜之后级部份经过该骤冷区而固化;G.位于该骤冷装置邻近,相对于骤冷区中薄膜的种晶装置;H.用以使该骤冷区中之膜与该种晶装置相接触之装置,使该膜固化,并形成该种晶装置所具之晶态者;I.用以使该种晶装置以与该支持面相同之方向与速度而移动的装置,以维持与膜之接触直到膜离了骤冷区并固化之后,该种晶杆之晶态,当膜与支持面经过骤冷区时,在膜之后续部份繁衍之者;J.包容前述所有装置于一真空或惰气环境中之壳体装置。10. 如申请专利范围第9项所述之装置,其中该支持而为一旋转鼓之周面者。11. 如申请专利范围第10项所述之装置,复包括用以维持该坩锅、鼓、骤冷装置与种晶装置等于一无污染范围下之装置。12. 如申请专利范围第10项所述之装置,复包括位于骤冷装置下游,用以自支持面上将膜剥下之剥离装置。13. 如申请专利范围第12项所述之装置,复包括位于剥离装置下游,用以于膜固化后将膜集积以形成一薄片之装置。14. 如申请专利范围第13项所述之装置,包括对准膜下分离线之一股直线气流以使膜自支特面上分离之者。15. 如申请专利范围第14项所述之装置,其中该气流由热气构成,维持自支持百分离之膜下面液相,直到膜自支持面上分离为止。16. 如申请专利范围第9项所述之装置,复包括用以监视在骤冷区中膜温之装置,以及反应于该监视装置,用以控制在该区中整个膜之熟梯度之装置,以建立在膜中的成角度方向的一条等热线,庶几膜之上表面在膜离开支持面上前即行固化,而其相对面仍为液态,直到膜离支持面以后为止。17. 如申请专利范围第10项所述之装置,其中该鼓、骤冷装置与种晶装置之长度至少为1米。.18. 如申请专利范围第9项所述之装置,复包括在该壳体的控制环境中,在该移动装置下游,用以在该形成的薄片上沈积一或多层物质的装置。19. 如申请专利范围第18项所述之装置,其中该沈积装置包括一或多个成系列配置之被覆炉。图示简单说明:图一为本发明中用以制造一无机薄片的装置之垂直剖解图;图二为图一中装置之部份放大立面图;图三为图一中装置另一部份之放大立面图;图三A为图一中装置所成薄片之放大形态图解;图4为本发明制造多层薄片之装置图解;图五与图六分别为应用图四与图一中装置所制成物品之部份截面图。 |
