| 主权项 |
1.一种内来制造元件的方法,其中之步骤有,在晶片上形成光阻罩,蚀刻所述之晶片而形成蚀刻坑,这些蚀刻坑是以产生具能量粒子而定义数种图形,两完成此一元件。在所述之蚀刻期间,每当蚀刻坑侧壁上再覆膜上材料即产主蚀刻坑 (etchingpitt)。其特征为,所述之方法包含以下之中步骤中之其一。(1)局部补偿所述之侧壁上之对应之所述再覆膜之效用。(2)当所述之再覆膜材料显现对于晶片上等方蚀刻之屏障时,而使得一角度可产生于(a)光阻罩上充于晶片之光阻切线上以及(b)所述晶片上之所述点上小于a-rctan ( )之直角上,其中x为所述点上之再覆膜之水平速率以及y为所述之晶片之蚀刻速率。(3)当所述之晶片上之再覆膜材料对等方蚀刻产生屏障之时,将角度限制于蚀刻粒子之动量方向以及切于用来作为侧壁之护罩之具有阻挡性之再覆膜材料之所有点上之切于其所述之再覆膜材料之间而使得所述之接触角小于arctan( ),其中z为平行于蚀刻粒子之动量之具阻挡性之再覆膜材料之蚀刻速率。2.依请求专利部分第1项之方法,其特征为,其中一图形含有一电晶体之闸部。3.依请求专利部分第1项之方法,其特征为所述之补偿步骤(1)包含调整所述之光阻罩之局部尺寸。4.依请求专利部分第1项之方法,其特征为所述之补偿步骤(1)包含形成一个相近于至少其中一所述之图形之非活性(或非作用)图形。5.依请求专利部分第1项之方法,其特征为其中所述之补偿(1)项包含去除最少之弯曲程度之路径图形之一而得到相近之所述图形之第二种。6.依请求专利部分第1项之方法,其特征为所述之晶片包含矽。图示简单说明:图1-3示出一般蚀刻之后所得之侧壁结构;图4及5示出再覆膜之可能结构;图6及7示出再覆膜之结构效应;以及图8-11示出光罩角之效果。 |
