| 主权项 |
1.一种无电解镀金液,其含有0.001至0.2mOl/l之硫化硫酸金(1)复合物,0.001至0.5mOl/l硫代硫酸盐0.001至1.0mOl/l硫,作为DH调整剂的硼砂,作为安定剂的亚硫酸钠,以及含量为可使所述溶液之总量达1升的水。2.如申请专利范围第1项之无电解镀金液,其中,所述之硫代硫酸金(Ⅰ)复合物系为卤金酸盐(Ⅲ)(hologenoaurate (Ⅲ)和硫代硫酸盐之反应产物。3.如申请专利范围第1项之无电解镀金液,其中,所述之硫代硫酸金(I)复合物系为硫酸纳金(I),而所述之硫代硫酸盐系为硫代硫酸钠。4.如申请专利范围第2项之无电解镀金液,其中硼砂之含量为从0.09至1.0莫耳/升,而亚硫酸钠之含量为从0.01至0.8莫耳/升。5.一种电导体,其系使用含有水,硫代硫酸金(I)复合物,硫代硫酸盐,硫 ,pH调整剂和安定剂之无电解镀金液无电解镀金。6.如申请专利范围第1项之无电解镀金液,其中溶液之DH値系为3.0至11.0。7.如申请专利范围第1项之无电解镀金液,其中所述硫代硫酸金(I)复合物系为二硫代硫酸铭金酸盐(I)。8.一种无电解镀金于工作片(workpiece)的方法,其包括下列步骤:使所述工作片与无电解镀金液相接触,该无电解镀金液系含有水,硫代硫酸根络金(I)复合物,硫代硫酸盐,硫 ,pH调节剂和安定剂;以及藉由无电解淀积而使来自无电解镀金液之金淀积在所述工作片上。9.如申请专利范围第8项之方法,其中所述之工作片包括一金属表面,而金系淀积在所述之金属表面上。10.如申请专利范围第9项之方法,其中所述之接触系藉由将所述金属表面浸入所述之无电解镀金液中进行。11.如申请专利范围第10项之方法,其中所述之金属表面系为金表面。12.如申请专利范围第11项之方法,其中所述之金表面系为由取代电镀所形成之金。13.如申请专利范围第11项之方法,其中所述之金表面系出电镀所形成之金。14.如申请专利范围第8项之方法,其中所述溶液在所述接触期间内之温度60-90℃。15.无电解镀金8的方法,其包括下列步骤:在一基底上形成第一导电层;在所述第一导电层上形成第二导电层;在该第二导电层上形成金薄膜;以及在该金薄膜上形成无电解镀金层(g0ld plating),;该无电解镀金系由金薄膜与含有水,硫代硫酸根络金(I)复合物,硫代硫酸盐,硫O,pH调节剂和安定剂之无电解镀金溶液接触以及从无电解镀金溶液淀积出镀金层而形成。16.如申请专利范围第15项之方法,其中所述基底系由陶瓷材料制成。17.如申谙专利范围第15项之方法,其中所述第二导电层系为镍。18.如申请专利范围第15项之方法,其中所述金薄膜系为藉由取代镀金所形成之薄膜。19.如申请专利范围第15项之方法,其中所述第一导电层材料形成之一黏合片(bonding pad)。20.如申请专利范围第15项之方法,其中所述第一导电层材料形成铅。图示简单说明:图1所示为在当使用依本发明之无电解镀金溶液而淀积出金溥膜之厚度(微米)与电镀时间(小时)之关系图;图2所示为使本发明之无电解镀金液之镀以金的电子部份的透视图。图3所示为沿着图2中线A-A之电子部份的横截面图。 |
