发明名称 供制造差向鬼臼毒及相关物质用之中间物质以及其制法与用途
摘要
申请公布号 TW116389 申请公布日期 1989.07.11
申请号 TW075101634 申请日期 1986.04.11
申请人 必治妥大药厂 发明人 杜拉特瑞.姆.维艾斯;保罗.姆.史柯尼
分类号 A61K31/25;C07C61/29;C07C61/39 主分类号 A61K31/25
代理机构 代理人 林敏生 台北巿南京东路二段一二五号七楼伟成第一大楼
主权项 1﹒如下通式之化合物: 其中 R'和R"分别为氢原子或(低)烷氧基 ,或者R'和R",连在一起代表甲二气 基; R3为氢原子或 酸保获基; R4和R6分别为氢原子或(低)烷氧基 ;而R5为氢原子或酚保护基; 或其酸加成盐类。 2﹒如申请专利范围第1项所请之化合式,其 具有如下通式: 其中R3为氢原子或 保护基;而R5为 氢原子或酚保护基;或其酸加成盐类。 3﹒如申请专利范围第2项所请之化合物,其 中R3为氢原子,(低)烷基,苯(低) 烷基,环上有取代基之苯(低)烷基或二 苯甲基;而R3为氢原子,(低)烷基, 苯(低)烷基,环上有取代基之苯(低) 烷基, 氧羰基或2,2,2一三氟乙氧 羰基;在R3和R5之苯环上可含有l或 2个分别选自于(低)烷基,卤原子,( 低)烷氧基和三氟甲基之取代基;或其酸 加成盐类。 4﹒如申请专利范围3所请之化合物,其 中,R3为二苯甲基,且R5为甲基。 5﹒如申请专利范围第l项所请之化合物,其 具如下通式 其中R3为氢原子或 保护基;且R5为 氢原子或酚保护基;或其酸加成盐类。 6.如申请专利范围第5项所请之化合物,其 中R3为氢原子,(低)烷基,苯(低) 烷基,环上有取代基之苯(低)烷基或二 苯甲基;而R5为氢原子,(低)烷基, 苯(低)烷基,环上有取代基之苯(低) 烷基, 氧羰基或2,2,2一三氟乙氧 羰基:在R3和R5之苯环上可含有l或 2个分别选自于(低)烷基,卤原子,( 低)烷氧基和三氟甲基之取代基;或其酸 加成盐类。 7﹒如申请专利范围第6项所请之化合物,其 中R3为二苯甲基,且R5为甲基。 8﹒如下通式所示之化合物: 其中 R1和R2分别为氢原子或(低)烷氧基 ,或者R1和R2,连在一起代表甲二氧 基: R3为氢原子或 酸保护基; R4和R6分别为氢原子或(低)烷氧基 R5为氢原子或酚保护基;以及 R7为氢原子,卤原子,(低)烷氧羰基 , 基,氰基,三甲基甲矽烷基,苯矿醯 基,或苯氧羰基,而于R7之苯环中可含 有1或2个分别选自于(低)烷基,卤原 子(低)烷氧基和三氟甲基之取代基; 或其酸加成盐类。 9﹒如申请专利范围第8项所请之化合物,其 具如下通式者: R3为氢原子或 酸保护基; R5为氢原子或酚保护基;以及 R7为氢原子,卤原子,(低)烷氧羰基 , 基,氰基,三甲基甲矽烷基,苯矿醯 基或苯氧羰基,且于苯环上可以包含1或 2个选自于(低)烷基,卤原子(低) 烷氧基和三氟甲基之取代基; 或其酸加成盐类。 10. 如申请专利范围第9项所请之化合物, 其中R3为氢原子,(低)烷基,苯( 低)烷基,环上有取代基之苯(低)烷基 或二苯甲基;而R5为氢原子,(低)烷 基,苯(低)烷基,环上有取代基之苯( 低)烷基, 氧羰基或2,2,2一三氟 乙氧羰基:在R3和R5之苯环上可含有 l或2个分别选自于(低)烷基,卤原子 ,(低)烷氧基和三氟甲基之取代基;或 其酸加成盐类。 11﹒如申请专利范围第10项所请之化合物, 其中R3为二苯甲基R5为甲基;而R 7为溴原子。 12.如申请专利范围第10项所请之化合物 其中R3为氨原子,R5为甲基;且R7 为氟原子;或其酸加成盐类。 13﹒如申请专利范围第10项所请之化合物, 其中R3为氢原子;R5为甲基:而R7,为 溴原子。 I4﹒如申请专利范围第l0项之请之化合物, 其中R3为氢原子;R5为甲基;而R7 为溴原子:或其酸加成盐类 15. 如下通式所示之化合物 其中 R1和R2分别为氢原子或(低)烷氧基 ,或R1和R2,连接一起代表甲二氧基 R3为氢原子或 酸保护基; R4和R6分别为氢原子或(低)烷氧基 而R5为氢原子或酚保护基;以及 R8为氰基,胺甲基 甲醯基或氨基甲醯 基; 或其酸类。 16﹒如申请专利范围第15项所请之化合物, 其具有如下通式者: 其中R3为氢原子或 酸保护基:而R5 为氢原子或酚保护基;或其酸加成盐类。 17﹒如申请专利范围第16项所请之化合物, 其中R3为氢原子,(低)烷基,苯( 低)烷基,环上有取代基之苯(低)烷基 或二苯甲基;而R5为氢原子,(低)烷 基,苯(低)烷基,环上有取代基之苯( 低)烷基, 氧羰基或2,2,2一三氟 乙氧羰基:在R3和R5之苯环上可含有 l或2个分别选自于(低)烷基,卤原子 ,(低)烷氧基和三氟甲基之取代基;或 其酸加成盐类。 18.如请求专利范围第17项所请之化合物, 其中R3为二苯甲基,而R5为甲基。 19.如申请专利范围第17项所请之化合物, 其中R3为乙基;而R5为甲基。 20﹒如申请专利范围第17项之请之化合物, 其中R3为氢原子;而R5为甲基;或其 酸加成盐类 2l﹒如申请专利范围第15项所请之化合物, 其具有以下通式Xlb 其中R3为氢原子或 酸保护基;而R5 为氢原子或酚保护;或其盐类。 22.如申请专利范围第21项所请之化合物, 其中R3为氢原子,(低)烷基,苯( 低)烷基,环上有取代基之苯(低)烷基 或二苯甲基;而R5为氢原子,(低)烷 基,苯(低)烷基,环上有取代基之苯( 低)烷基, 氧羰基或2,2,2一三氟 乙氧羰基:在R3和R5之苯环上可含有 l或2个分别选自于(低)烷基,卤原子 ,(低)烷氧基和三氟甲基之取代基;或 其盐类。 23.如申请专利范围第22项所请之化合物, 其中R3为氢原子,而R5为甲基,或其 盐类。 24﹒如下通式所示之化合物: 其中 R1和R2分别为氢原子或(低)烷氧基 ,或R'和R",连接一起代表甲二氧基 R3为氢原子或 酸保护基; R4和R6分别为氢原子或(低)烷氧基 R5为氢原子或酚保护基;以及 R9为苯基或(低)烷基,且其任意地经 1个或更多的选自于氟,氟和溴之卤原子 所取代。 25﹒如申请专利范围第24项所请之化合物, 其具有如下通式之化合物: 其中R3为氢原子或 酸保护基;而R5 为氢原子或酚保护基;而R9为苯基或任意 意经I个或以上之选自于氟,氟,溴之卤 原子所取代之(低)烷基。 26.如申请专利范围第25项所请之化合物 其中R3为二苯甲基;R5为甲基;而R9 为甲基。 27﹒如下通式所示之化合物: 其中, R1和R2分别为氢原子或(低)烷氧基 ,或R'和R",连接一起代表甲二氧基 R3为氢原子或 酸保护基; R4和R6分别为氢原子或(低)烷氧基 R5为氢原子或酚保护基;或其酸加成盐 类。 28﹒如申请专利范围第27项所请之化合物, 其具有如下通式者: 其甲R3为氢原子或 酸保护基;而R5。 为氢原子或酚保护基;或其酸加成盐类。 29.如申请专利范围第28项所请之化合物, 其中R3为氢原子,(低)烷基,苯( 低)烷基,环上有取代基之苯(低)烷基 或二苯甲基;而R5为氢原子,(低)烷 基,苯(低)烷基,环上有取代基之苯( 低)烷基, 氧羰基或2,2,2一三氟 乙氧羰基:在R3和R5之苯环上可含有 l或2个分别选自于(低)烷基,卤原子 ,(低)烷氧基和三氟甲基之取代基;或 其酸成盐类。 30﹒如申请专利范围第29项所请之化合物, 其中R3为乙基;而R5为甲基。 31.如申请专利范围第29项所请之化合物, 其中R3二苯甲基;而R5为甲基。 32.通式(XII)化合物之制法: 其中,R1和R2分别为氢原子,或(低 )烷氧基,或R1和R2连接一起代表甲 二氧基;R4和R6分别为氢原子或(低 )烷氧基;而R5为氢原子或诸如甲基之 酚保护基:或药学上可接受之酸加成盐类 ;此方法包活下列步骤: (a)将以下通式所示之异恶 环; 其中R1,R2,R3,R4,R6和R 6均如上所定义,R3为氢或 酸保护基 ,而R7为氢原子,卤原子,(低)烷氧 羰基, 基,氰基,三甲基甲矽烷基,苯 磺醯基或苯氧羰基,且R7之苯环上可包 含1或2个分别选自于(低)烷基,卤原 子,(低)烷氧基和三氟甲基之取代基; 裂解产生以下通式所示之化合物: 其中R1,R2,R3,R4,R5和R6 如上定义; (b)将通式XIc之 类在诸如四氢 喃之 适当溶剂中,以诸如氢化锂铝之适当 氢化物,在周温下,选泽性地还原为下 式化合物: 其中R1,R2,R3,R4,R5和R6 均如上所定义,或其盐类;以及,若R3 为诸如二苯甲基之 基保护基时,则以 诸如三氟乙酸之适富化学试剂将该保护基 去除而产主其中R3为氢之(Xld)化 合物,以及 (c)在酸性介质中,由硷性 与胺基之重氮 化反应,且随之内酯化而将通式Xld 化合物环化为通式XII之化合物 其中R1,R2,R3,R4,R5和R6 均如上定义。 33﹒如申请专利范围第32项中所定义之通式 XII化合物之制法,其再包括一步骤:将 以下通式所示之顺式烯烃: 其中R3为氢原子或诸如二苯甲基之 酸 保护基;且R1,R2,R4,R5和R6 均如申请专利范围第32项所定义;和以 下通式XX之氰氧化物 其中R7为氢原子,卤原子,(低)烷氧 羰基, 基,氰基,三甲基甲矽烷基,苯 矿醯基或笨氧羰基,而在R7之苯环尚可 含有一或二个分别选自于(低)烷基,卤 原子,(低)烷氧基和三氟氮甲基之取代基 ;在诸如水,C1一C6醇类,二恶烷或 其混合物之惰性溶剂中,在一20OC至反应 系统回流塭度间反应而制得通式X所示之 异恶唑: 其中R1,R2,R3,R4,R5和R6, 均如上所定义。 34﹒通式X所示化合物之制法: 其中, R1和R2分别为氢原子或(低)烷氧基 ,或R1和 R2连接一起代表甲撑二氧基: R3为氢原子或 基保护基: R4和R6分别为氢原子或(低)烷氧基 R5为氢原子或酚保护基;以及 R7为氢原子,卤原子,(低)烷氧羰基 , 基,氰基,三甲基甲矽烷基,苯矿醯 基,或苯氧羰基,而于R7之苯环中可 有1或2个分别选自于(低)烷基,卤原 子,(低)烷氧基和三氟甲基之取代基; 其包括以下反应步骤,将通式lx之顺式-- 烯属烃: 其中R1,R2,R3,R4,R5和R6 均如上所定义;和以下通式XX之 氧 化物: 其中R7如上定义,在惰性水溶剂或有机 溶剂或水和有机之混合溶剂中,在一20 oC至溶剂之回流温度下,立体选择性地制 得所述之通式X化合物,且任意地和选择 性地将通式X化合物,其中R3诸如二苯 甲基之 基保护基,藉由使用诸如三氟乙 酸乙之化学试剂予以去保护而得以下通式 所示之化合物: ,其中R1,R2,R3,R4,R5和R6 如上所定义。 35. 通式Xlc化合物之制法: 其中, R1和R2分别为氢原子或(低)烷氧基 ,或R1和R2连接一起代表甲二氧基: R3为氢原子或诸如二苯甲基之 基保护 基; R4和R6分别为氢原子或(低)烷氧基 R5为氢原子或诸如甲基之酚保护基,或 其酸加成盐类,其包括以下步骤;将通式 X之异恶唑环; 其中R7为卤原子,而R1,R2,R3, ,R4,R5和R6均如上定义,在诸如 甲醇之适当溶剂中,在诸如阮来镍,氧化 铂或珊化镍之催化剂存在下,在适当气压 下,如从40一5Opsi,选泽性还原产生所 述之通式XIc化合物。 36﹒以下通式Vl化合物之制法: 其中, R1和R2分别为氢原子或(低)烷氧基 ,或R1和R2连接一起代表甲二氧基: R3为氢原子或诸如二苯甲基之 基保护 基: R4和R5分别为氢原子或(低)烷氧基 R5为氢原子或诸如甲基酚保护基;其包 括将通式XIII之环丙基化合物: 其中R1,R2,R3,R4,R5和R6 均如上所定义,以至少0.5当量之路易 士酸和至少催化剂量之以下所示酸酐 其中R9为苯基或(低)烷基,其任意地 经1或更多的选自于氟,氟或溴之卤原子 所取代, 在诸如硝基甲烷之惰性有机溶剂中环 化反应直至产生通式Vl所示之反式-芳基 荼满酮产生; 其中R1,R2,R3,R4,R5和R6 均如上所定义。 37﹒如申请专利范围第36项所请之方法,其 中该路易士酸之量约l当量,而酸酐之量 为约1一2当量。 38﹒通式I化合物之制法: 其中 Rl和R2分别为氢原子或(低)烷氧基 ,或R1和R2连接一起代表甲撑二氧基 R3为氢原子或 基保护基: R4和R6分别为氢原子或(低)烷氧基 R5为氢原子或诸如甲基之酚保护基 其酸加成盐类,其包括下列步骤: (a)将通式VII化合物 其中R3为诸如二苯甲基之 基保护基; R5为诸如甲基酚保护基,而R1,R 2,R4和R6均如上定义;在酸的存 在下脱水而得通式VIII之反式一烯属烃 其中R1,R2,R3,R4,R5和R6 均如上所定义;而当希望得到顺式一烯属 烃时, (b)在低温下,于惰性有机溶剂中以诸如氢 化锂之强硷差向异构化通式VIII之反式一 烯属烃,随之,以酸骤冷而得通式IX所 示之顺式一烯属烃: 其中R1,R2,R3,R4,R5和R6 均如上所定义;且以诸如三氟乙酸之化 学试剂任意及选择性的将之去保护而制得 通式IX化合物,其中,R3为氢,R5为 诸如甲基酚保护基,或R5为氢原子而R 3为诸如二苯甲基之 基保护基。 39﹒通式lX化合物之制法: 其中, R1和R2分别为氢原子或(低)烷氧基 ,或R1和R2连接一起代表甲撑二氧基 R3为氢原子或诸如二苯甲基基保护基 R4和R6分别为氢原子或(低)烷氧基 R5为氢原子或诸如甲基之酚保护基或 其药学上可接受之盐类; 此方法包括在约一70oC至一20oC,较好为 一78oC温度下将通式lV之芳基荼满酮差向 异构化 其系藉使用诸如诸如氢化锂之强硷,在诸 如THF之惰性有机溶剂中烯醇化骤冷( enolate quenching)而得通式XVI所示 之顺式一芳基荼满酮. 其中R1,R2,R3,R4,R5和R6 均如上所定义。 40.通式XlV化合物之制法: 其中 R1和R2分别为氢原子或(低)烷氧基 ,或R1和R2连接一起代表甲撑二氧基 R3为氢原子或诸如二苯甲基 基保护基 R4和R6分别为氢原子或(低)烷氧基 R5为氢原子或诸如甲基之酚保护基;其 包括将通式XIII之环内基化合物环化之步 骤: 其中R1,R2,R3,R4,R5和R6 均如上所定义;其系以至少0.5当量之 诸如四氢化锡,BF3,ET2O路易士 酸和至少1当量之下式所示之酸酐: 其中R9为苯基或任意经1个以上之选自 于氟、氯、溴原子之卤原子所取代之(低 )烷基,在诸如硝基甲烷惰性溶剂中处理 直至产生通式XIV化合物: 其中R1,R2,R3,R4,R5和R6 均如上所定义。 41﹒通式XlD化合物之制法: 其中, R1和R2分别为氢原子或(低)烷氧基 ,或R1和R2连接一起代表甲撑二氧基 R3为氢原子或诸如二苯甲基 基保护基 R4和R6分别为氢原子或(低)烷氧基 R5为氢原子或酚保护基;其包括使用诸 如氢化锂之适富氢化物中,较好在周温下 选泽性还原通式Xlc所示之 : 其中R1,R2,R3,R4,R5和R6 均如上所定义。,或其盐类,以及,若R3 为 基保护基,则藉由使用诸如三氟乙 酸和苯甲醚混合物之化学剂去保护,而制 得式R3为氢之通式XID所示化合物。 42.通式XIc化合物之制法: 其中, R1和R2分别为氢原子或(低)烷氧基 ,或R1和R2连接一起代表甲撑二氧基 R3为氢原子或诸如二苯甲基 基保护基 R4和R6分别为氢原子或(低)烷氧基 R5为氢原子或酚保护基;或其酸加成盐 类,其包括裂解通式X所示之化台物之异 恶唑环: 其中R7为卤原子,而R1,R2,R3 ,R4,R5和R6如上定义;其系藉由 使用诸如钠汞齐,在适当溶剂中金属化反 应而制得通式XIc化合物。 43.通式XIc化合物之制法,其系藉由依 申请专利范围第39项所制得之通式XIV化 合物经使用诸如钯、铂,阮来镍之氢化催 化剂,在如水,甲醇之适当溶剂中选择性 还原而制得通式XVII所示之化合物,然后 在酸的存在下,将此化合物脱水而制得通 式lX所式的顺式烃化合物。 44.通式XII化合物制法: R5为氢原子或酚保护基,其包括藉由胺 基之重氮化反应将通式Xid化合物: 其中, R1和R2分别为氢原子或(低)烷氧基 ,或R1和R2连接一起代表甲撑二氧基 R4和R6分别为氢原子或(低)烷氧基 其中R1,R2,R3,R4,R5和R6 如上所定义,随之,因酯化而制得该通 式XII化合物。
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