| 主权项 |
1. 一褛掺杂矽基材上之动态半导体记亿装置之记忆单元,包含 : 至少一个场效电晶体,此场效电晶体有分别当做源极与泄电极区域使用之两个掺杂区域与一个闸极,此间极由绝缘层包围住而且由第一个掺杂多矽层予以形成;呈堆叠电容器形式之至少一个电容器,此电容器重叠于该电晶体之闸极,含有第二个较厚的掺杂多矽层与第三个较薄的掺杂多矽层之一部分分别当做电容器之上板与下板使用以及电介质被安绯于该两个多矽层之间,第三个多矽层重叠于该下方第二个多矽层之形式电容器下板之部分以及其侧壁之覆盖电介质屑;介于电源线与诸该掺杂区域当中之第一个掺杂区域之间之接触,由第二个多矽层之舆形式电容器下板之第二个多矽层相绝缘之部分予以构成,以及,介于第二个掺杂多矽层之形成电容器下板之部分舆诸该掺杂区域当中之第二个掺杂区域之间之接触。2.如申请专利范围第1项所述之记忆单元,其中,该第三个多矽层涵盖一个记忆单元阵列,此记亿单元阵列系由多数个电容器与场效电晶体予以组成,而且该第三个多矽层含有供第二个多矽层之一部分使用之开口,利用第二个多矽层之该部分将接触形成于该电源线与该电晶体之第一个掺杂区域之间。3.如申请专利范围第1项或第2项所述之记亿单元,其中,该第二个多矽层之形成该电源线与该第一个掺杂区域之间之接触之该部分系部分地重叠于该场效电晶体之由绝绿屑包围住之闸极。4﹒一种如申请专利范园第3项所述之记忆单元之制造方法,包括下列步骤:(a)在掺杂矽基材上设计结构而形成厚的氧化物区域舆薄的氧化物区域;(b)在第一个掺杂多矽层上形成结构并且使用间隔器法将其侧壁覆盖以氧化物壳体而将闸极覆以壳体,以及,在第二个多矽层之当做该电源线接触使用之部分舆第一个掺杂区域之间形成接触而且在该第二个多矽层之形成电容器下板之部分与该第二个掺杂区域之间形成接触,藉此,形成该场效电晶体之绝缘的闸极;(c)以掺杂方式形成该场效电晶体之源极与,泄电极区域;(d)淀积形成厚度05至1.Om之第二个掺杂多矽层,而形成某构成该电源线接触之下板之部分;(e)施加电介质当做电容器之绝缘中间层:(f)淀积形成构成电容器上板之第三个较溥的掺杂多矽层;以及(9)在第三个多矽层上施加一绝缘层,而且形成电源线与第一个掺杂区域之间之接触。5﹒一种动态半导体记忆装置之记忆单元,宵质上如说明书参照附图1所述者。6﹒一种动态半导体记忆装置之记忆单元之制造方法,实质上如说明书参照附图2至6所述者。图示简单说明:图l为根据本发明之记忆单元装置之示意断面侧视图;而图2至6为半导体基材之一部分及形成于其上之结构之相似的示意侧视图,显示根据本发明之记忆单元装置制造过程之连续步骤。 |
