发明名称 微细图型之形成方法
摘要
申请公布号 TW118681 申请公布日期 1989.09.11
申请号 TW077105811 申请日期 1988.08.23
申请人 东芝股份有限公司 发明人 渡边彻;奥村胜弥
分类号 H01L21/266 主分类号 H01L21/266
代理机构 代理人 林敏生 台北巿南京东路二段一二五号七楼伟成第一大楼
主权项 1﹒一种微细图型之形成方法,其特征为包括于被形成图型面上涂布感光抗蚀剂之笔1工程,在上述感光抗蚀膜表面上形成所定微细图型凹部之第2工程;在上述凹部堆积与上述感光抗蚀剂不同蚀刻速度之材料的第3工程;以及以被堆积于上述凹部之上述材料做为光罩,除去上述感光抗蚀膜之第4工程。2﹒如申请专利范围第1项所请微细图型之形成方法,其中上述第1项工程系即使上述被形成图型面为具阶梯差,亦可涂布一层十分厚之上述感光抗蚀剂使上述感光抗蚀剂膜之表面成平坦。3﹒如申请专利范围第1项或第2项所请微细图型之形成方法,其中上述第3项工程为在上述感光抗蚀膜之全面堆积上述材料后,侄回蚀刻上述材料使之在上述凹部留存。4﹒如申请专利范围第3项所请微细图型之形成方法,其中在上述感光抗蚀膜之全面堆积上述材料再于堆积之上述材料上形成第2感光抗蚀膜,倒回蚀刻第2感光拒蚀膜上述材料使之在上述材料留存于于上述凹部。5﹒一种徽细图型之形成方法,其特征为具有:于被形成图型面基板上形成有机膜之第1工程,在上述有机膜上涂布感光抗蚀剂之第2工程;图型化上述感光抗蚀膜为所定徽细图型之第3工程,在藉由被图型化之上述感光抗蚀膜被形成之凹部堆积与上述有机膜不同蚀刻速度之材料的第4工程,以及以被堆积于上述凹部之上述材料为光罩,除去上述有机膜之第5工程。6﹒如申请专利范围第5项所请微细图型之形成方法,其中第1项工程系即使上述被形成图型面具阶梯度,亦以形成足够厚度之上述有机膜使上述感光抗蚀膜表面呈平坦。7﹒一种微细图型之形成方法,其特征为包括于被形成图型面上涂布感光抗蚀剂之第1工程,图型化上述感光抗蚀膜为所定图型之第2工程,在被图型化之上述感光抗蚀膜的图型侧面形成间隔之第3工程,并且使用上述图型侧面上具有上述间隔之上述感光抗蚀膜做为光罩。图示简单说明:第l图至第4图系分别表示本发明之第1至第4实施例之微细图型之形成方法工程。第5图系为说明依第4实施例之变形例形成微细图型方法的图。第6图系表示本发明第5实施例之形成微细图型之方法工程图,第7图及第8图系分别为说明以往微细图型形成方法的图。
地址 日本国神奈川县川崎巿幸区堀川町七十二番地
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