| 主权项 |
1﹒一个薄膜铁磁共振调谐滤波器包括:一个铁磁薄膜;一条输入送线及一条输出送线,结合前述铁磁薄膜;及一个磁线路供应DC磁场到前述铁磁薄膜,各条前述输入及输出传送线在接地端各别接地,其中前述铁磁薄膜与各输入及输出传送线的结合点,和各条前述输入及输出传送线的接地端间之距离,被选为大于或等于1/10并小于1/4的波长,该波系在一的调谐带宽的上限频率,于前述传送线中传送的波。2﹒一个薄膜铁磁共振调谐泸波器包括:一个第一及第二铁磁薄膜;一条输人传送线结合到前述第一铁磁薄膜,并在其一端接地;一条输出传送线结合到前述第二铁磁薄膜,并在其一端接地;一个磁线路施加DC磁场到前述第一及第二铁磁薄膜,其中在前述第一铁磁薄膜及前述输入传送线的结合点,与前述接地端之间的距离,及前述第二铁磁薄膜与前述输出传送线及前述接地端的距离,均被选择大于或等于1/10并小于1/4的波长,该波在一个调谐带宽的上限频率由前述传送线传送。3﹒一个溥膜铁磁共振调谐滤波器包括:铁磁溥膜;一条输入信号传送线及一条输出信号传送线,各别结合前述铁磁薄膜;一个磁线路用于供应一个DC磁场到前述的铁磁薄膜;其中前述输入信号线的一端,及前述输出信号线的一端,被延伸形成延伸物。从前述输入信号传送线结合对应的铁磁薄膜之结合点,到前述输入信号传送线延伸物的接地端的距离,及从前述输出信号传送线结合对应铁磁薄膜的结合点,到前述输出信号传送线的延伸物接地端的距离,为大于或等于1/10并小于1/4在调谐频率带的上限频率于前述传送线中传送波的波长,且该部份的间隔距离大于输入信号传送线结合铁磁溥膜的结合点,到输出号传送线结合铁磁薄膜的结合点间之间隔。至少前述的一个延伸物位在前述输入及输出信号传送线结合对应的共振薄膜的结合点之同侧,或相向于前述输入及输出信号传送线的对应部份。4﹒一个溥膜铁磁共振调谐滤波器包括:铁磁薄膜:一个输入信号传送线及一个输出信号传送线各别结合前述铁磁薄膜;而且一个磁线路供应DC磁场到前述铁磁薄膜;其中前述输入信号传送线的一端及输出信号传送线的一端延伸形成延伸物,从前述输入信号传送结合对应的铁磁薄膜之结合点,到前述延伸物的接地端的距离,及从前述输出信号传送线与对应的铁磁薄膜之结合点,到前述延伸物的接地端的距离,为大于或等于1/10并小于1/4在调谐频率带的上限频率于传送线传送的波之波长。有一个分割件至少形成于前述输入信号传送线的结合部份,或前述输出信号传送线的结合部份。那些件的间隔距离大于在输入信号传送线结合铁磁薄膜的结合点,及输出信号传送线结合铁磁薄膜的结合点间的间隔,至少在前述延伸物之一,位于前述输入及输出信号传送线结合对应的铁磁溥膜之结合点相同侧,或与前述输入及输出信号传送线的其它对应部份相对。5﹒依据申请专利范围第2,3或4项之薄膜铁磁共振调谐滤波器,进一步包括一条连结线,结合前述第一及第二铁磁薄膜。6﹒依据申请专利范围第2,3或4项之薄膜铁磁共振调谐波器,更包括一个第三铁磁薄膜,被提供与前述第一及第二铁薄膜结合。图示简单说明图1说明依据本发明的薄膜铁磁共振调谐滤波器的基本构造。图2为依据本发明的薄膜铁磁共振调谐滤波器之较佳实体。图3为一个滤波器组加入图2的调谐滤波器之爆炸视图。图4表示磁场在信号传送线上的分布图。图5为K─1/Ou及1/Qeeff的频率相关图。图6到8表示本发明的薄膜铁磁共振调谐滤波器的滤波器特性图。图9为已知YIG薄膜调谐波器的基本构造图。图10及11为图9的YIG薄膜调谐滤波器的滤波器特性图。图12及13为依据本发明的滤波器之进一步实体,采用滤波器组的重要部份之放大平面视图。图14为依据本发明的滤波器组之放大爆炸透视图。图15为依据本发明的滤波器之放大剖视图。图16为在信号传送线结合YIG薄膜的结合部份之磁场分布图。图17图到19表示滤波器的隔绝特性图。 |
