| 摘要 |
고라우팅 밀도 패치를 갖는 반도체 패키지를 위한 방법들 및 시스템들이 발명되고, 서브스트레이트에 본딩된 반도체 다이와 서브스트레이트 및 반도체 다이에 본딩된 고라우팅 밀도 패치를 포함하되, 고라우팅 밀도 패치는 서브스트레이트보다 조밀한 트레이스 라인 밀도를 포함한다. 고라우팅 밀도 패치는, BEOL 영역을 포함하는, 실리콘이 없는 집적 모듈(SLIM) 패치일 수 있고, 그리고 TSV가 없을 수 있다. 금속 컨택들이 서브스트레이트의 제2면에 형성될 수 있다. 제2반도체 다이가 서브스트레이트와 고라우팅 밀도 패치에 본딩될 수 있다. 고라우팅 밀도 패치는 반도체 다이 사이에 전기적 상호 접속을 제공할 수 있다. 서브스트레이트는 실리콘 인터포저에 본딩될 수 있다. 고라우팅 밀도 패치는 10 마이크론 이하의 두께를 가질 수 있다. 서브스트레이트는 10 마이크론 이하의 두께를 가질 수 있다. |
