发明名称 |
振动型传感器及其制造方法 |
摘要 |
本发明涉及一种振动型传感器,其中H形振子与硅基片形成整体,在周围有一个空腔,连同放大器一起,在其固有频率上保持自激振荡;当施加到硅基片上一定物理量,如力、压力、差压等时,振子的固有频率随该物理量而变化,通过变化检测物理量;通过半导体技术制造该振动型传感器的工艺;维持空腔内真空的工艺;给予振子初始应力的结构,以及使自激振荡稳定工作的放大器结构。 |
申请公布号 |
CN1038162A |
申请公布日期 |
1989.12.20 |
申请号 |
CN89103429.3 |
申请日期 |
1989.05.25 |
申请人 |
横河电机株式会社 |
发明人 |
原田谨尔;池田恭一;桑山秀树;小林隆;西川直;渡边哲也;吉田隆司 |
分类号 |
G01L1/10 |
主分类号 |
G01L1/10 |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利代理部 |
代理人 |
冯庚瑄 |
主权项 |
1、在设有振子体的振动型传感器中,该振子体由在单晶硅基片上的单晶硅材料、激励振子体的激励装置、以及检测上述振子体激励振动的振动检测装置组成:其改进包括一个H形振子体,它具有两个基本振子,每个振子相对两端固定在上述基片上,两个振子互相平行;还有一个辅助振子,它与两个基本振子的中心部分机械地连接:一个在垂直于振子体方向上感生直流磁场的磁场感应装置:一个借助将交流电流传递给上述基本振子之一的相对端或传递给两个基本振子同侧端,产生直流磁场与振子相互作用而使振子振动的激励装置:一个用于检测另一个基本振子相对端上或两个基本振子同侧端上产生的电动力的振动检测装置:一个连接在上述激励装置和振动检测装置之间的放大装置。 |
地址 |
日本东京都 |