| 主权项 |
l.一种包括在场氧化物层之一区域厚厚地形成作为电容器之存储多层之堆叠电容器动态随机存取记忆器。2.依申请专利范围第1项之堆叠电容器动态随机存取记忆器,其中该存储多层之厚部系予以形成为包括第一及第二多矽层之堆叠构造。3.依申请专利范围第I项之堆叠电容器动态随机存取记忆器,其中,存储多尼为在厚部之表面状况为粗糙者,数元线路接点之区域中之存储多层之厚度系浅薄,因而使电容器之有效面积增加,及使拓朴形状被改良。4.一种堆叠电容器动态随机存取记忆器包括具有一在场氧化物层上之区中之厚部及一在数元线路接点之区中之浅部之电容器之存储多层;及一设在该存储多层及该存储多层下方之一层之间之边界区中凹槽。5.依申请专利范围第4项之堆叠电容器动态随机存取记忆器,其中,于闸极多层及存储多层间之一构造包括下方氧化物层,氮化物层,及上方氧化物层,因而使上方氧化物层具有凹槽。6.一种用以制造堆叠电容器动态随机存取记忆器之方法包括下列步骤:a)在包括闸极多层,场氧化物层及一种类型杂质之通道停止区之半导体基片中搀有一种类型杂质之#之上方形成共聚绝缘层;(b) 沉积第一多层;(c) 选择性移除该第一多层;(d) 形成一埋入接点;(e) 况积第二多层,在其中第一多层之其余部份及第二多层则变成存储多层;(f) 在拌之整个表面上方形成氧化物多层(g) 选择性移除细胞元之每一单之氧化物层;(h) 用该氧化物层作为光罩以可选择方式蚀刻该存储多层;(i) 蚀刻氧化物层;(j) 在该存储多层上形成电容器介质层;(k) 况积片多层;(l) 选择性蚀刻片多层;(m) 藉氧化该片多层之表面形成片多氧化物层;及(n) 形成数元线路及单词线路。7.依申请专利范围第6项之用以制造堆叠电容器动态随机存取记忆器之方法,其中,该存储多层系在场氧化物层上方之区中形成厚部。8.依申请专利范围第6项之用以制造堆叠电容器动态随机存取记忆器之方法,其中,使用一鞍形光罩实施第一多层之选择移除,因而在厚部中之存储多层之表面状况系粗糙,在数元线路接点之区中之该存储多层之厚度系浅薄。9.依申请专利范围第6项之用以制造堆叠电容器动态随机取记忆器之方法,其中,该第一多层保用预先搀有一类型杂质之多矽材料予以况积或在况积多矽材料后将一类型杂质予以搀杂。10. 一种用以制造堆叠电容器动态随机存取记忆器之方法包括下列步骤:(a) 在包括闸极多层,场氧化物层及一种类型杂质之通道停止区之半导体基片中搀有一种类型杂质之#之上方形成共聚绝缘层;(b)况积第一多层;(c) 选择性移除该第一多层;(d)形成一埋入接点;层;(h) 在存储多层上形成氧化物层后,藉蚀刻形成氧化物间隔片;(i) 使用氧化物层及氧化物间隔片作为光罩以选择方式蚀刻该存储多层;(j) 藉各自同性蚀刻以蚀刻氧化物层,氧化物间隔片,及上方氧化物层之曝露部份;(k) 在该存储多层上形成电容器介质层;(1) 况积片多层;(m) 选择性蚀刻片多层;(n) 藉氧化该片多层之表面形成片多氧化物层;及(o) 形成数元线路及单词线路。13. 依申请专利范围第12项之用以制造堆叠电容器动态随机存取记忆器之方法,其中,上方氧化物层之凹槽之度数系由存储多层上之氧化物层之厚度予以控制,在其中氧化物层之厚度系数较上方氧化物层之厚度为厚,凹槽之度数则大。14. 一种用以制造堆叠电容器动态随机存取记忆器之方法包括下列步骤:(a) 在具有闸极多层,场氧化物层,及一种类型杂质之通道停止区之半导体基本中搀有一类型杂质之井上方形成包括下方氧化物层及氮化物层以及上方氧化物层之共聚绝缘层:(b) 况积第一多层;(c) 除开场氧化层上方之区域中之部份外移除第一多层;(d) 形成埋入接点;(e) 况积第二多层,在其中第一多层及第二多层之多余部份则变成存储多层;(f) 在井之整个表面上方形成氧化物层:(g) 选择性移除每单位细胞元之氧化物层;(g) 选择性移除每单位细胞元之氧化物层(e) 况积第二多层,在其中第一多屑及第二多层之其余部份变成存储多层;(f) 在#之整个表面上方形成氧化物多层;(g) 选择性移除每一单位之细胞元之氧化物层;(h) 在储存层上形成氧化物层后藉蚀刻形成氧化物间隔片;(i) 使用氧化物层及氧化物间隔片以选择方式蚀刻该储存多层;(j) 蚀刻该氧化物及氧化物间隔片;(k) 在该存储多层上形成多电容器介质层;(l) 况积月多层;(m) 选择性蚀刻片多层;(n) 藉氧化该片多层之表面形成片多氧化物层;及(0) 形成故元线路及单词线路。11. 依申请专利范围第10项之用以制造堆叠电容器动态随机存取记忆器之方法,其中,该氧化物间隔片之尺寸系出电容器与一类型之动态随机取记忆器装置予以控制,因而电容器之有效面积系予以控制。12. 一种用以制造堆且电容器动态随机存取记忆器之方法包括下列步骤:(a) 在具有闸极多层,场氧化物层,及一种类型杂质之通道停止区之半导体基本中搀有一类型杂质之井上方形成包括下方氧化物层及氮化物层以及下方氧化物层之共聚绝缘层;(b) 况积第一多层;(c) 选择性移除该第一多层;(d) 形成一埋入接点;(e) 况积第二多层,在其中第一多层及第二多层之多余部份则史成存储多层;(f) 在#之整个表面上方形成氧化物多层;(g) 选择性移除细胞元之每一军之氧化物;(h) 在存储多层上形成氧化物后,藉蚀刻形成氧化物间隔片;(i) 使用氨化物层及氧化物间隔片作为光罩以选择方式蚀刻该存储多层;(j) 藉各自同性蚀刻以蚀刻氧化物层,氮化物间隔片,及上方氧化物层之曝露部份;(k) 在该存储多层上形成电容器介质层;(l) 沈积片多层;(m) 选择性蚀刻片多层;(n) 藉氧化该片多层之表面形成片多氧化物层;及(0) 形成数元线路及单词线路。 |
